SiC பூச்சு இரசாயன நீராவி படிவு (CVD), முன்னோடி உருமாற்றம், பிளாஸ்மா தெளித்தல் போன்றவற்றின் மூலம் தயாரிக்கப்படலாம். இரசாயன நீராவி படிவு மூலம் தயாரிக்கப்படும் பூச்சு சீரானது மற்றும் கச்சிதமானது மற்றும் நல்ல வடிவமைப்பைக் கொண்டுள்ளது. மெத்தில் ட்ரைக்ளோசிலேன் பயன்படுத்தி. (CHzSiCl3, MTS) சிலிக்கான் மூலமாக, சிவிடி முறையில் தயாரிக்கப்பட்ட SiC பூச்சு இந்த பூச்சு பயன்படுத்துவதற்கு ஒப்பீட்டளவில் முதிர்ந்த முறையாகும்.
SiC பூச்சு மற்றும் கிராஃபைட் நல்ல இரசாயன பொருந்தக்கூடிய தன்மையைக் கொண்டுள்ளன, அவற்றுக்கிடையேயான வெப்ப விரிவாக்கக் குணகத்தின் வேறுபாடு சிறியது, SiC பூச்சுகளைப் பயன்படுத்துவது கிராஃபைட் பொருளின் உடைகள் எதிர்ப்பு மற்றும் ஆக்சிஜனேற்ற எதிர்ப்பை திறம்பட மேம்படுத்தலாம். அவற்றில், ஸ்டோச்சியோமெட்ரிக் விகிதம், எதிர்வினை வெப்பநிலை, நீர்த்த வாயு, தூய்மையற்ற வாயு மற்றும் பிற நிலைமைகள் எதிர்வினை மீது பெரும் தாக்கத்தை ஏற்படுத்துகின்றன.
இடுகை நேரம்: செப்-14-2022