செய்தி

சிலிக்கான் கார்பைடு எபிடாக்சியல் லேயரின் குறைபாடுகள் என்ன?
24-06-05 அன்று நிர்வாகி மூலம்
SiC எபிடாக்சியல் பொருட்களின் வளர்ச்சிக்கான முக்கிய தொழில்நுட்பம் முதலில் குறைபாடு கட்டுப்பாட்டு தொழில்நுட்பமாகும், குறிப்பாக சாதன செயலிழப்பு அல்லது நம்பகத்தன்மை சீரழிவுக்கு வாய்ப்புள்ள குறைபாடு கட்டுப்பாட்டு தொழில்நுட்பம். அடி மூலக்கூறு குறைபாடுகளின் பொறிமுறையின் ஆய்வு எபியில் விரிவடைகிறது...
மேலும் படிக்கவும்
ஆக்ஸிஜனேற்றப்பட்ட தானியம் மற்றும் எபிடாக்சியல் வளர்ச்சி தொழில்நுட்பம்-Ⅱ
24-05-30 அன்று நிர்வாகி மூலம்
2. எபிடாக்சியல் மெல்லிய பட வளர்ச்சி, அடி மூலக்கூறு Ga2O3 சக்தி சாதனங்களுக்கு ஒரு உடல் ஆதரவு அடுக்கு அல்லது கடத்தும் அடுக்கை வழங்குகிறது. மின்னழுத்த எதிர்ப்பு மற்றும் கேரியர் போக்குவரத்துக்கு பயன்படுத்தப்படும் சேனல் அடுக்கு அல்லது எபிடாக்சியல் அடுக்கு அடுத்த முக்கியமான அடுக்கு ஆகும். பிரேக்டவுன் வோல்டேஜை அதிகரிக்கவும், கான்ஸை குறைக்கவும்...
மேலும் படிக்கவும்
காலியம் ஆக்சைடு ஒற்றை படிக மற்றும் எபிடாக்சியல் வளர்ச்சி தொழில்நுட்பம்
24-05-30 அன்று நிர்வாகி மூலம்
சிலிக்கான் கார்பைடு (SiC) மற்றும் காலியம் நைட்ரைடு (GaN) ஆகியவற்றால் குறிப்பிடப்படும் பரந்த பேண்ட்கேப் (WBG) குறைக்கடத்திகள் பரவலான கவனத்தைப் பெற்றுள்ளன. மின்சார வாகனங்கள் மற்றும் பவர் கிரிட்களில் சிலிக்கான் கார்பைட்டின் பயன்பாட்டு வாய்ப்புகள் மற்றும் காலியம் பயன்பாட்டு வாய்ப்புகள் குறித்து மக்கள் அதிக எதிர்பார்ப்புகளைக் கொண்டுள்ளனர்...
மேலும் படிக்கவும்
சிலிக்கான் கார்பைடுக்கான தொழில்நுட்ப தடைகள் என்ன?Ⅱ
24-05-22 அன்று நிர்வாகி மூலம்
நிலையான செயல்திறன் கொண்ட உயர்தர சிலிக்கான் கார்பைடு செதில்களை அதிக அளவில் உற்பத்தி செய்வதில் உள்ள தொழில்நுட்ப சிக்கல்கள் பின்வருமாறு: 1) 2000°Cக்கு மேல் உயர் வெப்பநிலை சீல் செய்யப்பட்ட சூழலில் படிகங்கள் வளர வேண்டும் என்பதால், வெப்பநிலைக் கட்டுப்பாடு தேவைகள் மிக அதிகமாக உள்ளன; 2) சிலிக்கான் கார்பைடு இருப்பதால் ...
மேலும் படிக்கவும்
சிலிக்கான் கார்பைடுக்கான தொழில்நுட்ப தடைகள் என்ன?
24-05-22 அன்று நிர்வாகி மூலம்
முதல் தலைமுறை குறைக்கடத்தி பொருட்கள் பாரம்பரிய சிலிக்கான் (Si) மற்றும் ஜெர்மானியம் (Ge) ஆகியவற்றால் குறிப்பிடப்படுகின்றன, அவை ஒருங்கிணைந்த சுற்று உற்பத்திக்கான அடிப்படையாகும். அவை குறைந்த மின்னழுத்தம், குறைந்த அதிர்வெண் மற்றும் குறைந்த ஆற்றல் கொண்ட டிரான்சிஸ்டர்கள் மற்றும் டிடெக்டர்களில் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. 90% க்கும் அதிகமான குறைக்கடத்தி உற்பத்தி...
மேலும் படிக்கவும்
SiC மைக்ரோ பவுடர் எவ்வாறு தயாரிக்கப்படுகிறது?
24-05-13 அன்று நிர்வாகி மூலம்
SiC சிங்கிள் கிரிஸ்டல் என்பது 1:1 என்ற ஸ்டோச்சியோமெட்ரிக் விகிதத்தில் Si மற்றும் C ஆகிய இரண்டு தனிமங்களைக் கொண்ட குழு IV-IV கலவை குறைக்கடத்திப் பொருளாகும். அதன் கடினத்தன்மை வைரத்திற்கு அடுத்தபடியாக உள்ளது. SiC ஐ தயாரிப்பதற்கான சிலிக்கான் ஆக்சைடு முறையின் கார்பன் குறைப்பு முக்கியமாக பின்வரும் இரசாயன எதிர்வினை சூத்திரத்தை அடிப்படையாகக் கொண்டது...
மேலும் படிக்கவும்
எபிடாக்சியல் அடுக்குகள் குறைக்கடத்தி சாதனங்களுக்கு எவ்வாறு உதவுகின்றன?
24-05-13 அன்று நிர்வாகி மூலம்
எபிடாக்சியல் வேஃபர் என்ற பெயரின் தோற்றம் முதலில், ஒரு சிறிய கருத்தை பிரபலப்படுத்துவோம்: செதில் தயாரிப்பில் இரண்டு முக்கிய இணைப்புகள் உள்ளன: அடி மூலக்கூறு தயாரிப்பு மற்றும் எபிடாக்சியல் செயல்முறை. அடி மூலக்கூறு என்பது செமிகண்டக்டர் ஒற்றை படிகப் பொருட்களால் செய்யப்பட்ட ஒரு செதில் ஆகும். அடி மூலக்கூறு நேரடியாக செதில் உற்பத்தியில் நுழையலாம்...
மேலும் படிக்கவும்
இரசாயன நீராவி படிவு (CVD) மெல்லிய பட படிவு தொழில்நுட்பம் அறிமுகம்
24-05-06 அன்று நிர்வாகி மூலம்
இரசாயன நீராவி படிவு (CVD) என்பது ஒரு முக்கியமான மெல்லிய பட படிவு தொழில்நுட்பமாகும், இது பெரும்பாலும் பல்வேறு செயல்பாட்டு படங்கள் மற்றும் மெல்லிய அடுக்கு பொருட்களை தயாரிக்க பயன்படுகிறது, மேலும் குறைக்கடத்தி உற்பத்தி மற்றும் பிற துறைகளில் பரவலாக பயன்படுத்தப்படுகிறது. 1. CVDயின் செயல்பாட்டுக் கொள்கை CVD செயல்பாட்டில், ஒரு வாயு முன்னோடி (ஒன்று அல்லது...
மேலும் படிக்கவும்
ஒளிமின்னழுத்த செமிகண்டக்டர் தொழிற்துறையின் பின்னால் உள்ள "கருப்பு தங்கம்" ரகசியம்: ஐசோஸ்டேடிக் கிராஃபைட்டின் ஆசை மற்றும் சார்பு
24-05-06 அன்று நிர்வாகி மூலம்
ஒளிமின்னழுத்தம் மற்றும் குறைக்கடத்திகளில் ஐசோஸ்டேடிக் கிராஃபைட் மிக முக்கியமான பொருள். உள்நாட்டு ஐசோஸ்டேடிக் கிராஃபைட் நிறுவனங்களின் விரைவான வளர்ச்சியுடன், சீனாவில் வெளிநாட்டு நிறுவனங்களின் ஏகபோகம் உடைக்கப்பட்டுள்ளது. தொடர்ச்சியான சுயாதீன ஆராய்ச்சி மற்றும் மேம்பாடு மற்றும் தொழில்நுட்ப முன்னேற்றங்களுடன், ...
மேலும் படிக்கவும்