VET Energy silicon carbide (SiC) epitaxial kaki ni nyenzo ya utendaji wa juu ya upana wa bendgap yenye ukinzani bora wa joto la juu, masafa ya juu na sifa za nguvu za juu. Ni substrate bora kwa kizazi kipya cha vifaa vya umeme vya nguvu. VET Energy hutumia teknolojia ya hali ya juu ya MOCVD epitaxial kukuza tabaka za ubora wa juu za SiC epitaxial kwenye substrates za SiC, kuhakikisha utendakazi bora na uthabiti wa kaki.
Kaki yetu ya Silicon Carbide (SiC) Epitaxial Wafer inatoa upatanifu bora na anuwai ya vifaa vya semiconductor ikiwa ni pamoja na Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, na SiN Substrate. Kwa safu yake thabiti ya epitaxial, inasaidia michakato ya juu kama vile ukuaji wa Epi Wafer na ujumuishaji na nyenzo kama Gallium Oxide Ga2O3 na AlN Wafer, kuhakikisha matumizi anuwai katika teknolojia tofauti. Iliyoundwa ili kuendana na mifumo ya ushughulikiaji ya Kaseti ya kiwango cha sekta, inahakikisha utendakazi bora na ulioratibiwa katika mazingira ya utengenezaji wa semiconductor.
Laini ya bidhaa ya VET Energy haikosi tu kaki za SiC epitaxial. Pia tunatoa nyenzo mbalimbali za sehemu ndogo ya semiconductor, ikiwa ni pamoja na Si Kaki, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, n.k. Zaidi ya hayo, pia tunatayarisha nyenzo mpya za semicondukta pana, kama vile Gallium Oxide Ga2O3 na AlN. Kaki, ili kukidhi mahitaji ya baadaye ya sekta ya umeme wa vifaa vya utendaji wa juu zaidi.
TABIA ZA KUTETEA
*n-Pm=n-aina ya Pm-Grade,n-Ps=n-aina Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
Kipengee | Inchi 8 | Inchi 6 | Inchi 4 | ||
nP | n-Pm | n-Zab | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Upinde(GF3YFCD)-Thamani Kabisa | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Ukingo wa kaki | Beveling |
USO FINISH
*n-Pm=n-aina ya Pm-Grade,n-Ps=n-aina Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
Kipengee | Inchi 8 | Inchi 6 | Inchi 4 | ||
nP | n-Pm | n-Zab | SI | SI | |
Uso Maliza | Upande mbili wa Optical Polish, Si- Face CMP | ||||
Ukali wa uso | (umri 10 x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Chips za makali | Hairuhusiwi (urefu na upana≥0.5mm) | ||||
Indenti | Hakuna Inayoruhusiwa | ||||
Mikwaruzo(Si-Face) | Kiasi.≤5,Jumla | Kiasi.≤5,Jumla | Kiasi.≤5,Jumla | ||
Nyufa | Hakuna Inayoruhusiwa | ||||
Kutengwa kwa Kingo | 3 mm |