Silicon Carbide Epitaxial Karatasi Tray Kwa Semiconductor Epitaxial Furnace

Silicon Carbide Epitaxial Laha Tray Kwa Semiconductor Epitaxial Furnace Picha Iliyoangaziwa

Maelezo Fupi:

Tray ya VET Energy Silicon Carbide Epitaxial Sheet ni bidhaa ya utendaji wa juu iliyoundwa ili kutoa utendakazi thabiti na wa kutegemewa kwa muda mrefu. Ina upinzani mzuri wa joto na usawa wa mafuta, usafi wa juu, upinzani wa mmomonyoko wa ardhi, na kuifanya kuwa suluhisho kamili kwa ajili ya usindikaji wa kaki.

Tutumie barua pepe Pakua kama PDF

Maelezo ya Bidhaa

Lebo za Bidhaa

Trei ya karatasi ya silicon carbide ni sehemu muhimu inayotumika katika michakato mbalimbali ya utengenezaji wa semiconductor. Tunatumia teknolojia yetu iliyoidhinishwa kutengeneza trei ya karatasi ya silicon iliyo na usafi wa hali ya juu, mshikamano mzuri wa mipako na maisha bora ya huduma, pamoja na upinzani wa juu wa kemikali na sifa za uthabiti wa joto.

VET Energy ndio watengenezaji halisi wa bidhaa zilizobinafsishwa za grafiti na silicon zenye mipako tofauti kama SiC, Tac, kaboni ya pyrolytic, kaboni ya kioo, nk, inaweza kusambaza sehemu mbalimbali zilizobinafsishwa kwa semiconductor na sekta ya photovoltaic. Timu yetu ya kiufundi inatoka kwa taasisi za juu za utafiti wa ndani, inaweza kukupa masuluhisho ya nyenzo za kitaalamu zaidi.

Tunaendeleza michakato ya hali ya juu ili kutoa nyenzo za hali ya juu zaidi, na tumetengeneza teknolojia ya kipekee iliyo na hakimiliki, ambayo inaweza kufanya muunganisho kati ya kupaka na mkatetaka kuwa mgumu zaidi na kukabiliwa na kizuizi.

Vipengele vya bidhaa zetu:

1. Ustahimilivu wa oxidation wa joto la juu hadi 1700 ℃.
2. Usafi wa juu na usawa wa joto
3. Upinzani bora wa kutu: asidi, alkali, chumvi na vitendanishi vya kikaboni.
4. Ugumu wa juu, uso wa compact, chembe nzuri.
5. Maisha ya huduma ya muda mrefu na ya kudumu zaidi

CVD SiC薄膜基本物理性能 Sifa za kimsingi za CVD SiCmipako
性质 / Mali	典型数值 / Thamani ya Kawaida
晶体结构 / Muundo wa Kioo	FCC awamu ya β多晶，主要為（111）取向
密度 / Msongamano	3.21 g/cm³
硬度 / Ugumu	2500 维氏硬度 (mzigo wa 500g)
晶粒大小 / Nafaka SiZe	2 ~ 10μm
纯度 / Usafi wa Kemikali	99.99995%
热容 / Uwezo wa Joto	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Usablimishaji Joto	2700 ℃
抗弯强度 / Nguvu ya Flexural	415 MPa RT 4-pointi
杨氏模量 / Modulus ya Vijana	430 Gpa 4pt bend, 1300 ℃
导热系数 / ThermalUendeshaji	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Upanuzi wa Joto(CTE)	4.5×10^-6K^-1