Habari

Aina za Graphite Maalum
kwa admin mnamo 24-06-17
Grafiti maalum ni usafi wa juu, msongamano mkubwa na nyenzo za grafiti zenye nguvu na ina upinzani bora wa kutu, utulivu wa joto la juu na conductivity kubwa ya umeme. Imetengenezwa kwa grafiti ya asili au bandia baada ya matibabu ya joto la juu na usindikaji wa shinikizo la juu...
Soma zaidi
Uchambuzi wa vifaa vya uwekaji filamu nyembamba - kanuni na matumizi ya vifaa vya PECVD/LPCVD/ALD
kwa admin mnamo 24-06-12
Utuaji wa filamu nyembamba ni kupaka safu ya filamu kwenye nyenzo kuu ya substrate ya semiconductor. Filamu hii inaweza kutengenezwa kwa nyenzo mbalimbali, kama vile kiwanja cha kuhami joto cha silicon dioxide, semiconductor polysilicon, shaba ya chuma, n.k. Vifaa vinavyotumika kwa upakaji huitwa utuaji wa filamu nyembamba...
Soma zaidi
Vifaa muhimu vinavyoamua ubora wa ukuaji wa silicon ya monocrystalline - uwanja wa joto
kwa admin mnamo 24-06-12
Mchakato wa ukuaji wa silicon ya monocrystalline unafanywa kabisa katika uwanja wa joto. Sehemu nzuri ya mafuta inafaa kuboresha ubora wa fuwele na ina ufanisi wa juu wa uangazaji. Muundo wa uwanja wa joto huamua kwa kiasi kikubwa mabadiliko ya viwango vya joto ...
Soma zaidi
Je, kuna ugumu gani wa kiufundi wa tanuru ya ukuaji wa fuwele ya silicon carbide?
kwa admin mnamo 24-06-07
Tanuru ya ukuaji wa fuwele ndio kifaa kikuu cha ukuaji wa fuwele ya silicon carbide. Ni sawa na tanuru ya ukuaji wa fuwele ya silicon ya jadi. Muundo wa tanuru sio ngumu sana. Inaundwa zaidi na mwili wa tanuru, mfumo wa joto, utaratibu wa maambukizi ya coil ...
Soma zaidi
Je, ni kasoro gani za safu ya epitaxial ya silicon carbudi?
kwa admin mnamo 24-06-05
Teknolojia ya msingi ya ukuaji wa nyenzo za SiC epitaxial ni teknolojia ya kwanza ya kudhibiti kasoro, haswa kwa teknolojia ya kudhibiti kasoro ambayo inakabiliwa na hitilafu ya kifaa au uharibifu wa kuaminika. Utafiti wa utaratibu wa kasoro za substrate zinazoenea hadi epi...
Soma zaidi
Teknolojia ya ukuaji wa epitaxial iliyooksidishwa-Ⅱ
kwa admin mnamo 24-05-30
2. Ukuaji wa filamu nyembamba ya Epitaxial Sehemu ndogo hutoa safu ya usaidizi wa kimwili au safu ya conductive kwa vifaa vya nguvu vya Ga2O3. Safu inayofuata muhimu ni safu ya kituo au safu ya epitaxial inayotumiwa kwa upinzani wa voltage na usafiri wa carrier. Ili kuongeza voltage ya kuvunjika na kupunguza con...
Soma zaidi
Oksidi ya Galliamu kioo kimoja na teknolojia ya ukuaji wa epitaxial
kwa admin mnamo 24-05-30
Semiconductors za bandgap pana (WBG) zinazowakilishwa na silicon carbide (SiC) na gallium nitride (GaN) zimepokea uangalizi mkubwa. Watu wana matarajio makubwa kwa matarajio ya matumizi ya silicon carbudi katika magari ya umeme na gridi za umeme, pamoja na matarajio ya matumizi ya gallium...
Soma zaidi
Je, ni vikwazo gani vya kiufundi vya silicon carbudi?Ⅱ
kwa admin mnamo 24-05-22
Matatizo ya kiufundi katika kuzalisha kwa uthabiti kaki za kabidi za silicon za ubora wa juu na utendakazi thabiti ni pamoja na: 1) Kwa kuwa fuwele zinahitaji kukua katika mazingira ya halijoto ya juu yaliyofungwa zaidi ya 2000°C, mahitaji ya udhibiti wa halijoto ni ya juu sana; 2) Kwa kuwa carbudi ya silicon ina ...
Soma zaidi
Je, ni vikwazo gani vya kiufundi vya silicon carbudi?
kwa admin mnamo 24-05-22
Kizazi cha kwanza cha vifaa vya semiconductor kinawakilishwa na silicon ya jadi (Si) na germanium (Ge), ambayo ni msingi wa utengenezaji wa mzunguko jumuishi. Wao hutumiwa sana katika transistors na detectors ya chini-voltage, chini-frequency, na chini ya nguvu. Zaidi ya 90% ya bidhaa za semiconductor...
Soma zaidi