Kishikizi cha Pipa cha Graphite cha Epitaxial Epi

Kishikizi cha Pipa cha Graphite cha Epitaxial Epi

Kishikizi cha Pipa cha Graphite cha Epitaxial Epini kifaa cha usaidizi na upashaji joto kilichoundwa mahususi kinachotumika kushikilia na kupasha joto sehemu ndogo za semiconductor wakati wa michakato ya utengenezaji kama vile michakato ya Deposition au Epitaxy.

Muundo wake ni pamoja na kawaida ya silinda au umbo la pipa kidogo, sura ya uso ina mifuko mingi au majukwaa ya kuweka kaki, inaweza kuwa muundo thabiti au mashimo, kulingana na njia ya kupokanzwa.

Kazi kuu za kiharusi cha pipa epitaxial:

Msaada wa Substrate: inashikilia salama kaki nyingi za semiconductor;
-Chanzo cha joto: hutoa joto la juu linalohitajika kwa ukuaji kwa njia ya joto;
-Usawa wa joto: inahakikisha inapokanzwa sare ya substrates;
-Mzunguko: kwa kawaida huzunguka wakati wa ukuaji ili kuboresha hali ya joto na usawa wa usambazaji wa gesi.

Kanuni ya kufanya kazi ya kibanio cha pipa cha grafiti cha Epi:
- Katika reactor ya epitaxial, susceptor ya pipa huwashwa kwa joto linalohitajika (kawaida 1000℃-1200℃ kwa epitaxy ya silicon);
-Susceptor ya pipa inazunguka ili kuhakikisha usambazaji sawa wa joto na mtiririko wa gesi;
-Gesi za mmenyuko hutengana kwa joto la juu, na kutengeneza tabaka za epitaxial kwenye uso wa substrate.

Maombi:
-Hutumika kimsingi kwa ukuaji wa silicon epitaxial
-Pia inatumika kwa epitaxy ya nyenzo zingine za semiconductor kama vile GaAs, InP, n.k.

VET Energy hutumia grafiti yenye ubora wa juu na mipako ya CVD-SiC ili kuimarisha uthabiti wa kemikali:

Faida za Kidhibiti cha Pipa cha Nishati cha Epitaxial Epi Graphite:

- Utulivu wa joto la juu;
-Usawa mzuri wa joto;
-Inaweza kusindika substrates nyingi kwa wakati mmoja, kuboresha ufanisi wa uzalishaji;
-Ajizi ya kemikali, kudumisha mazingira ya ukuaji wa usafi wa hali ya juu.