Maelezo ya Bidhaa
Kampuni yetu hutoa huduma za mchakato wa mipako ya SiC kwa njia ya CVD kwenye uso wa grafiti, keramik na vifaa vingine, ili gesi maalum zilizo na kaboni na silicon kuguswa kwenye joto la juu ili kupata molekuli za SiC za usafi wa juu, molekuli zilizowekwa kwenye uso wa nyenzo zilizofunikwa, kutengeneza safu ya kinga ya SIC.
Vipengele kuu:
1. Upinzani wa oksidi ya joto la juu:
upinzani wa oksidi bado ni mzuri sana wakati halijoto ni ya juu kama 1600 C.
2. Usafi wa juu : hutengenezwa na utuaji wa mvuke wa kemikali chini ya hali ya klorini ya joto la juu.
3. Upinzani wa mmomonyoko wa udongo: ugumu wa juu, uso wa compact, chembe nzuri.
4. Upinzani wa kutu: asidi, alkali, chumvi na vitendanishi vya kikaboni.
Maelezo kuu ya mipako ya CVD-SIC
| SiC-CVD Sifa | ||
| Muundo wa Kioo | FCC awamu ya β | |
| Msongamano | g/cm³ | 3.21 |
| Ugumu | Ugumu wa Vickers | 2500 |
| Ukubwa wa Nafaka | μm | 2 ~ 10 |
| Usafi wa Kemikali | % | 99.99995 |
| Uwezo wa joto | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Joto la Usablimishaji | ℃ | 2700 |
| Nguvu ya Felexural | MPa (RT-pointi 4) | 415 |
| Modulus ya Vijana | Gpa (bend 4, 1300 ℃) | 430 |
| Upanuzi wa Joto (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conductivity ya joto | (W/mK) | 300 |
