Med den gradvisa massproduktionen av ledande SiC-substrat ställs högre krav på processens stabilitet och repeterbarhet. I synnerhet kommer kontroll av defekter, den lilla justeringen eller driften av värmefältet i ugnen, att åstadkomma kristallförändringar eller ökning av defekter. I den senare perioden måste vi möta utmaningen att "växa snabbt, lång och tjock och växa upp", förutom förbättring av teori och ingenjörskonst, behöver vi också mer avancerade termiska fältmaterial som stöd. Använd avancerade material, odla avancerade kristaller.
Felaktig användning av degelmaterial, såsom grafit, porös grafit, tantalkarbidpulver, etc. i det heta fältet kommer att leda till defekter såsom ökad kolinneslutning. Dessutom, i vissa tillämpningar, är permeabiliteten för porös grafit inte tillräcklig, och ytterligare hål behövs för att öka permeabiliteten. Den porösa grafiten med hög permeabilitet står inför utmaningarna med bearbetning, borttagning av pulver, etsning och så vidare.
VET introducerar en ny generation av SiC-kristallväxande termiskt fältmaterial, porös tantalkarbid. En världsdebut.
Styrkan och hårdheten hos tantalkarbid är mycket hög, och att göra den porös är en utmaning. Att tillverka porös tantalkarbid med stor porositet och hög renhet är en stor utmaning. Hengpu Technology har lanserat en banbrytande porös tantalkarbid med stor porositet, med en maximal porositet på 75 %, världsledande.
Gasfaskomponentfiltrering, justering av lokal temperaturgradient, materialflödesriktning, kontroll av läckage etc. kan användas. Den kan användas med en annan solid tantalkarbid (kompakt) eller tantalkarbidbeläggning från Hengpu Technology för att bilda lokala komponenter med olika flödeskonduktans.
Vissa komponenter kan återanvändas.
Posttid: 2023-jul-14