Silicon Carbidemangrupakeun sanyawa teuas ngandung silikon jeung karbon, sarta kapanggih di alam salaku moissanite mineral langka pisan. Partikel karbida silikon tiasa dihijikeun ku sintering pikeun ngabentuk keramik anu keras pisan, anu seueur dianggo dina aplikasi anu ngabutuhkeun daya tahan anu luhur, khususna dina prosesi semikonduktor.
Struktur fisik SiC
Naon SiC Coating?
Lapisan SiC mangrupikeun palapis silikon karbida anu padet, tahan ngagem sareng korosi anu luhur sareng tahan panas sareng konduktivitas termal anu saé. Lapisan SiC-purity luhur ieu utamana dipaké dina industri semikonduktor jeung éléktronika ngajaga operator wafer, basa jeung elemen pemanasan ti lingkungan corrosive jeung réaktif. Lapisan SiC ogé cocog pikeun tungku vakum sareng pemanasan sampel dina lingkungan vakum, réaktif sareng oksigén anu luhur.
permukaan palapis SiC purity tinggi
Naon prosés palapis SiC?
Lapisan ipis silikon karbida disimpen dina permukaan substrat nganggoCVD (Deposisi Uap Kimia). Déposisi biasana dilaksanakeun dina suhu 1200-1300 ° C sareng paripolah ékspansi termal tina bahan substrat kedah cocog sareng palapis SiC pikeun ngaleutikan setrés termal.
CVD SIC palapis FILM STRUKTUR KRISTAL
Sipat fisik palapis SiC utamana dicerminkeun dina résistansi suhu luhur, karasa, résistansi korosi sareng konduktivitas termal.
Parameter fisik umumna biasana kieu:
Teu karasa: Lapisan SiC biasana gaduh Vickers Hardness dina kisaran 2000-2500 HV, anu masihan aranjeunna ngagem sareng résistansi dampak anu luhur dina aplikasi industri.
Kapadetan: Lapisan SiC ilaharna mibanda kapadetan 3,1-3,2 g/cm³. Kapadetan anu luhur nyumbang kana kakuatan mékanis sareng daya tahan palapis.
konduktivitas termal: Lapisan SiC boga konduktivitas termal anu luhur, biasana dina rentang 120-200 W/mK (dina 20°C). Hal ieu méré éta konduktivitas termal alus dina lingkungan suhu luhur sarta ngajadikeun eta utamana cocog pikeun alat-alat perlakuan panas dina industri semikonduktor.
Titik lebur: silikon karbida miboga titik lebur kira-kira 2730°C sarta mibanda stabilitas termal alus teuing dina suhu ekstrim.
Koéfisién ékspansi termal: SiC coatings boga koefisien linier low tina ékspansi termal (CTE), ilaharna dina rentang 4.0-4.5 µm/mK (dina 25-1000 ℃). Ieu ngandung harti yén stabilitas dimensi na téh alus teuing leuwih béda suhu badag.
lalawanan korosi: Lapisan SiC tahan pisan kana korosi dina lingkungan asam kuat, alkali sareng pangoksidasi, khususna nalika nganggo asam kuat (sapertos HF atanapi HCl), résistansi korosina langkung seueur tibatan bahan logam konvensional.
coatings SiC bisa dilarapkeun ka bahan handap:
Grafit isostatik kemurnian tinggi (CTE rendah)
Tungsten
Molybdenum
Silicon Carbide
Silikon Nitrida
Komposit Karbon-Karbon (CFC)
Produk coated SiC biasana dianggo di daérah ieu:
Produksi chip LED
Produksi polysilicon
Semikonduktortumuwuhna kristal
Silicon jeungEpitaksi SiC
Wafer perlakuan panas sarta etching
Naha milih VET Energy?
VET Energy mangrupikeun produsén, inovator sareng pamimpin produk palapis SiC di Cina, produk palapis SiC utama kalebetwafer carrier kalawan palapis SiC, SiC dilapissusceptor epitaxial, ring grafit coated SiC, Bagian satengah bulan kalayan palapis SiC, SiC coated karbon-karbon komposit, Parahu wafer dilapis SiC, SiC coated manaskeun, jsb VET Energy komitmen ka nyadiakeun industri semikonduktor jeung téhnologi pamungkas na solusi produk, sarta ngarojong jasa kustomisasi. Kami tulus ngarepkeun janten pasangan jangka panjang anjeun di Cina.
Upami anjeun gaduh patarosan atanapi peryogi detil tambahan, punten ulah ragu ngahubungi kami.
Whatsapp & Wechat: + 86-18069021720
Email: steven@china-vet.com
waktos pos: Oct-18-2024