Warta

Karakteristik kapang silikon karbida grafit
ku admin dina 24-07-18
Silicon Carbide Graphite Mould Silicon carbide grafit kapang nyaéta kapang komposit jeung silikon carbide (SiC) salaku basa jeung grafit salaku bahan tulangan. kapang ieu konduktivitas termal alus teuing, résistansi suhu luhur, résistansi korosi sarta ngagem ulang ...
Maca deui
Prosés semikonduktor prosés pinuh ku photolithography
ku admin dina 24-07-16
Pabrikan unggal produk semikonduktor merlukeun ratusan prosés. Urang ngabagi sakabéh prosés manufaktur kana dalapan hambalan: wafer processing-oksidasi-photolithography-etching-ipis pilem déposisi-epitaxial tumuwuh-difusi-implantation ion. Pikeun mantuan anjeun ...
Maca deui
4 milyar! SK Hynix ngumumkeun investasi bungkusan canggih semikonduktor di Purdue Research Park
ku admin dina 24-07-09
West Lafayette, Indiana - SK hynix Inc. ngumumkeun rencana pikeun investasi ampir $4 milyar pikeun ngawangun manufaktur bungkusan canggih jeung fasilitas R&D pikeun produk kecerdasan jieunan di Purdue Research Park. Ngadegkeun tautan konci dina ranté suplai semikonduktor AS di West Lafayett...
Maca deui
Téknologi laser nyababkeun transformasi téknologi pangolahan substrat silikon karbida
ku admin dina 24-07-08
1. Tinjauan téknologi pangolahan substrat silikon carbide Ayeuna léngkah-léngkah pangolahan substrat silikon karbida kalebet: ngagiling bunderan luar, nyiksikan, ngagiling, ngagiling, polishing, beberesih, sareng sajabana Slicing mangrupikeun léngkah penting dina prosés substrat semikonduktor ...
Maca deui
bahan médan termal mainstream: C / C bahan komposit
ku admin dina 24-07-01
Komposit karbon-karbon nyaéta jinis komposit serat karbon, kalayan serat karbon salaku bahan tulangan sareng karbon anu disimpen salaku bahan matriks. Matriks komposit C/C nyaéta karbon. Kusabab éta ampir sakabéhna diwangun ku karbon unsur, éta boga résistansi suhu luhur alus teuing ...
Maca deui
Tilu téhnik utama pikeun tumuwuh kristal SiC
ku admin dina 24-07-01
Ditémbongkeun saperti dina Gbr. 3, aya tilu téhnik dominan dimaksudkeun pikeun nyadiakeun SiC kristal tunggal jeung kualitas luhur sarta effciency: fase cair epitaxy (LPE), angkutan uap fisik (PVT), sarta-suhu luhur déposisi uap kimia (HTCVD). PVT mangrupikeun prosés anu mapan pikeun ngahasilkeun dosa SiC ...
Maca deui
Generasi katilu semikonduktor GaN jeung téhnologi epitaxial patali bubuka ringkes
ku admin on 24-06-28
1. Semikonduktor generasi katilu Téknologi semikonduktor generasi kahiji dikembangkeun dumasar kana bahan semikonduktor saperti Si jeung Ge. Éta mangrupikeun bahan dasar pikeun pangembangan transistor sareng téknologi sirkuit terpadu. Bahan semikonduktor generasi kahiji nempatkeun f ...
Maca deui
23,5 milyar, super unicorn Suzhou bade IPO
ku admin on 24-06-28
Saatos 9 taun kewirausahaan, Innoscience parantos naékkeun langkung ti 6 milyar yuan dina total pembiayaan, sareng pangajen na parantos ngahontal 23,5 milyar yuan. Daptar investor salami puluhan perusahaan: Fukun Venture Capital, Aset Milik Nagara Dongfang, Suzhou Zhanyi, Wujian...
Maca deui
Kumaha tantalum carbide coated produk ningkatkeun résistansi korosi bahan?
ku admin dina 24-06-25
Tantalum carbide coating mangrupikeun téknologi perawatan permukaan anu biasa dianggo anu sacara signifikan tiasa ningkatkeun résistansi korosi bahan. Tantalum carbide palapis bisa napel na beungeut substrat ngaliwatan métode préparasi béda, kayaning déposisi uap kimiawi, physica ...
Maca deui