Kalayan produksi massa bertahap tina substrat SiC conductive, syarat anu langkung luhur diteruskeun pikeun stabilitas sareng kaulangan prosésna. Khususna, kontrol defects, adjustment leutik atawa drift tina widang panas dina tungku, bakal mawa ngeunaan parobahan kristal atawa kanaékan defects. Dina periode engké, urang kudu nyanghareupan tantangan "tumuwuh gancang, panjang tur kandel, sarta tumuwuh nepi", sajaba ti pamutahiran ti téori jeung rékayasa, urang ogé kudu bahan widang termal leuwih maju salaku rojongan. Paké bahan canggih, tumuwuh kristal canggih.
Pamakéan teu bener bahan crucible, kayaning grafit, grafit porous, tantalum carbide bubuk, jsb dina widang panas bakal ngakibatkeun defects kayaning ngaronjat inklusi karbon. Salaku tambahan, dina sababaraha aplikasi, perméabilitas grafit porous henteu cekap, sareng liang tambahan diperyogikeun pikeun ningkatkeun perméabilitas. The grafit porous kalawan perméabilitas tinggi nyanghareup tantangan processing, panyabutan bubuk, etching jeung saterusna.
VET ngawanohkeun generasi anyar SiC kristal tumuwuh bahan médan termal, porous tantalum carbide. Hiji debut dunya.
Kakuatan sarta karasa tantalum carbide kacida luhurna, sarta nyieun porous mangrupakeun tantangan. Nyiptakeun karbida tantalum porous kalayan porositas ageung sareng kemurnian anu luhur mangrupikeun tantangan anu saé. Hengpu Téhnologi geus dibuka hiji narabas porous tantalum carbide kalawan porosity badag, kalawan porosity maksimum 75%, ngarah dunya.
Fase gas filtration komponén, adjustment of gradién suhu lokal, arah aliran bahan, kontrol leakage, jsb, bisa dipaké. Ieu bisa dipaké kalawan tantalum carbide solid sejen (kompak) atawa palapis tantalum carbide ti Hengpu Téhnologi pikeun ngabentuk komponén lokal kalawan conductance aliran béda.
Sababaraha komponén tiasa dianggo deui.
waktos pos: Jul-14-2023