CARA NYIEUN WAFER SILIKON
A wafernyaéta nyiksikan tina silikon kasarna 1 milimeter kandel nu boga permukaan pisan datar berkat prosedur anu téhnisna pisan nuntut. Pamakéan saterusna nangtukeun mana prosedur tumuwuh kristal kudu padamelan. Dina prosés Czochralski, contona, silikon polycrystalline dilebur sarta kristal cikal pensil-ipis dipped kana silikon lebur. Kristal cikal lajeng diputer jeung lalaunan ditarik ka luhur. Colossus anu beurat pisan, monocrystal, hasilna. Kasebut nyaéta dimungkinkeun pikeun milih ciri éléktrik monocrystal ku nambahkeun unit leutik dopant-purity tinggi. Kristal anu doped luyu jeung spésifikasi customer lajeng digosok sarta motong kana keureut. Saatos sababaraha léngkah produksi tambahan, palanggan nampi wafer anu khusus dina bungkusan khusus, anu ngamungkinkeun para nasabah nganggo wafer langsung dina jalur produksina.
PROSES CZOCHRALSKI
Kiwari, sabagian badag tina monocrystals silikon anu tumuwuh nurutkeun prosés Czochralski, nu ngawengku lebur polycrystalline silikon purity tinggi dina crucible kuarsa hyperpure tur nambahkeun dopant (biasana B, P, As, Sb). Kristal siki monocrystalline ipis dicelupkeun kana silikon lebur. A kristal CZ badag lajeng tumuwuh tina kristal ipis ieu. Pangaturan anu tepat tina suhu sareng aliran silikon lebur, rotasi kristal sareng crucible, ogé kecepatan narik kristal nyababkeun ingot silikon monocrystalline kualitas luhur.
METODE zona ngambang
Monocrystals dijieun nurutkeun metoda zone float idéal pikeun pamakéan dina komponén semikonduktor kakuatan, kayaning IGBTs. Ingot silikon polycrystalline cylindrical dipasang dina coil induksi. Médan éléktromagnétik frékuénsi radio mantuan ngalembereh silikon ti bagian handap rod. Médan éléktromagnétik ngatur aliran silikon ngaliwatan liang leutik dina coil induksi jeung kana monocrystal nu perenahna di handap (metoda zone float). Doping, biasana sareng B atanapi P, dihontal ku cara nambihan zat gas.
waktos pos: Jun-07-2021