Ho fapana le lisebelisoa tsa discrete tsa S1C tse hahamallang motlakase o phahameng, matla a phahameng, maqhubu a phahameng le litšoaneleho tsa mocheso o phahameng, sepheo sa lipatlisiso sa potoloho e kopaneng ea SiC ke haholo-holo ho fumana potoloho e phahameng ea dijithale bakeng sa potoloho e bohlale ea matla a IC. Joalokaha SiC e kopantsoeng ea potoloho bakeng sa tšimo ea motlakase ea ka hare e tlaase haholo, kahoo tšusumetso ea bokooa ba microtubules e tla fokotseha haholo, sena ke karolo ea pele ea monolithic SiC e kopantsoeng ea ts'ebetso ea amplifier chip e netefalitsoeng, sehlahisoa sa sebele se phethiloeng 'me se khethoa ke lihlahisoa se phahame haholo. ho feta microtubules mefokolo, ka hona, e thehiloeng SiC chai ea mohlala le thepa ea Si le CaAs ho hlakile hore e fapane. Chip e ipapisitse le thekenoloji ea ho fokotseha ha NMOSFET. Lebaka le ka sehloohong ke hore mokhoa o sebetsang oa ho tsamaisa li-Channel SiC MOSFETs o tlase haholo. E le ho ntlafatsa motsamao oa holim'a Sic, hoa hlokahala ho ntlafatsa le ho ntlafatsa ts'ebetso ea oxidation ea mocheso oa Sic.
Univesithi ea Purdue e entse mosebetsi o mongata lipotolohong tse kopaneng tsa SiC. Ka 1992, fektheri e ile ea ntlafatsoa ka katleho ho ipapisitse le mocha o ka morao oa 6H-SIC NMOSFETs monolithic digital integrated circuit. The chip e na le 'me e se heke, kapa e se heke, holim'a kapa keiti, counter counter, le halofo ea li-circuits tsa adder 'me e ka sebetsa hantle mochesong oa 25°C ho isa ho 300°C. Ka 1995, sefofane sa pele sa SiC MESFET Ics se ile sa etsoa ho sebelisoa theknoloji ea vanadium ente ea ho itšehla thajana. Ka ho laola ka nepo palo ea vanadium e kentsoeng, SiC e sireletsang e ka fumanoa.
Lipotolohong tsa logic tsa dijithale, li-circuits tsa CMOS li khahleha ho feta li-circuits tsa NMOS. Ka Loetse 1996, potoloho ea pele e kopaneng ea dijithale ea 6H-SIC CMOS e ile ea etsoa. Sesebelisoa se sebelisa ente ea N-order le deposition oxide layer, empa ka lebaka la mathata a mang a ts'ebetso, chip PMOSFETs threshold voltage e phahame haholo. Ka Hlakubele 1997 ha ho etsoa potoloho ea SiC CMOS ea moloko oa bobeli. Theknoloji ea ho kenya sefi sa P le lera la oxide ea ho hōla ha mocheso e amoheloa. Mohaho oa motlakase oa li-PMOSEFT o fumanoeng ka ntlafatso ea ts'ebetso o ka ba -4.5V. Lipotoloho tsohle tsa chip li sebetsa hantle mocheso oa kamore ho fihlela ho 300 ° C 'me li tsamaisoa ke motlakase o le mong, o ka bang kae kapa kae ho tloha ho 5 ho isa ho 15V.
Ka ntlafatso ea boleng ba li-wafer tsa substrate, li-circuits tse kopaneng tse sebetsang haholoanyane le tse fanang ka chai e phahameng li tla etsoa. Leha ho le joalo, ha mathata a thepa ea SiC le ts'ebetso a rarolloa ha e le hantle, ho tšepahala ha sesebelisoa le sephutheloana ho tla fetoha ntho e ka sehloohong e amang ts'ebetso ea lipotoloho tse kopantsoeng tsa SiC tse phahameng tsa mocheso.
Nako ea poso: Aug-23-2022