Са постепеном масовном производњом проводљивих СиЦ подлога, постављају се виши захтеви за стабилност и поновљивост процеса. Конкретно, контрола дефеката, мало подешавање или померање топлотног поља у пећи, довешће до промена кристала или повећања дефеката. У каснијем периоду морамо се суочити са изазовом „брзог раста, дугог и дебелог и одрастања“, поред побољшања теорије и инжењерства, потребни су нам и напреднији материјали за термичко поље као подршка. Користите напредне материјале, узгајајте напредне кристале.
Неправилна употреба материјала за лончиће, као што су графит, порозни графит, прах тантал карбида, итд. у врућем пољу, довешће до дефеката као што је повећано укључивање угљеника. Поред тога, у неким применама, пропустљивост порозног графита није довољна, а потребне су додатне рупе за повећање пропустљивости. Порозни графит са високом пропусношћу суочава се са изазовима обраде, уклањања праха, јеткања и тако даље.
ВЕТ представља нову генерацију материјала за термичко поље које расте са кристалима СиЦ, порозни тантал карбид. Светски деби.
Чврстоћа и тврдоћа тантал карбида су веома високе, а учинити га порозним је изазов. Прављење порозног тантал карбида велике порозности и високе чистоће представља велики изазов. Хенгпу Тецхнологи је лансирала револуционарни порозни тантал карбид са великом порозношћу, са максималном порозношћу од 75%, водећи у свету.
Може се користити филтрација компоненти гасне фазе, подешавање градијента локалне температуре, смер протока материјала, контрола цурења итд. Може се користити са другим чврстим премазом од тантал карбида (компактног) или тантал карбида из Хенгпу Тецхнологи за формирање локалних компоненти са различитом проводљивошћу протока.
Неке компоненте се могу поново користити.
Време поста: 14. јул 2023