ICP Etch Carrier

Përshkrimi i shkurtër:

Vendi i origjinës:Kinë

Struktura e kristalit:Faza FCCβ

Dendësia:3,21 g/cm;

Fortësia:2500 Vickers;

Madhësia e kokrrës:2~10μm;

Pastërtia kimike:99,99995%;

Kapaciteti i nxehtësisë:640J·kg-1·K-1;

Temperatura e sublimimit:2700 ℃;

Forca Feleksural:415 Mpa (RT 4-Point);

Moduli i Young:430 Gpa (përkulje 4pt, 1300℃);

Zgjerimi termik (CTE):4,5 10-6K-1;

Përçueshmëria termike:300 (W/MK);

Na dërgoni email Shkarkoni si PDF

Detajet e produktit

Etiketat e produktit

Përshkrimi i produktit

Kompania jonë ofron shërbime të procesit të veshjes SiC me metodën CVD në sipërfaqen e grafitit, qeramikës dhe materialeve të tjera, në mënyrë që gazet speciale që përmbajnë karbon dhe silikon të reagojnë në temperaturë të lartë për të marrë molekula SiC me pastërti të lartë, molekula të depozituara në sipërfaqen e materialeve të veshura, duke formuar shtresë mbrojtëse SIC.

Karakteristikat kryesore:

1. Rezistenca ndaj oksidimit në temperaturë të lartë:

rezistenca ndaj oksidimit është ende shumë e mirë kur temperatura është deri në 1600 C.

2. Pastërti e lartë: e bërë nga depozitimi kimik i avullit në kushte të klorimit me temperaturë të lartë.

3. Rezistenca ndaj erozionit: fortësi e lartë, sipërfaqe kompakte, grimca të imta.

4. Rezistenca ndaj korrozionit: acid, alkali, kripë dhe reagentë organikë.

Specifikimet kryesore të veshjes CVD-SIC

Vetitë SiC-CVD
Struktura Kristale	Faza β FCC
Dendësia	g/cm³	3.21
Fortësia	Fortësia e Vickers	2500
Madhësia e grurit	μm	2 ~ 10
Pastërtia Kimike	%	99,99995
Kapaciteti i nxehtësisë	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura e sublimimit	℃	2700
Forca Feleksural	MPa (RT 4 pikë)	415
Moduli i Young	Gpa (përkulje 4 pikë, 1300 ℃)	430
Zgjerimi termik (CTE)	10-6K-1	4.5
Përçueshmëri termike	(W/mK)	300