Tabaka mbajtëse e karbitit të silikonitis a kyçkomponent i përdorur në procese të ndryshme të prodhimit të gjysmëpërçuesve.Ne përdorim teknologjinë tonë të patentuar për të bërë bartësin e karbitit të silikonitpastërti jashtëzakonisht të lartë,mirëveshjeuniformitetidhe një jetë të shkëlqyer shërbimi, si dherezistencë të lartë kimike dhe karakteristika të stabilitetit termik.
Energjia AAP është tëprodhues i vërtetë i produkteve të personalizuara të grafitit dhe karbitit të silikonit me veshje CVD,mund të ofrojëtë ndryshmepjesë të personalizuara për industrinë gjysmëpërçuese dhe fotovoltaike. OEkipi ynë teknik vjen nga institucionet më të mira kërkimore vendase, mund të ofrojë zgjidhje materiale më profesionalepër ju.
Ne zhvillojmë vazhdimisht procese të avancuara për të ofruar materiale më të avancuara,dhekanë krijuar një teknologji ekskluzive të patentuar, e cila mund ta bëjë lidhjen midis veshjes dhe nënshtresës më të ngushtë dhe më pak të prirur ndaj shkëputjes.
Fkarakteristikat e produkteve tona:
1. Rezistencë ndaj oksidimit në temperaturë të lartë deri në 1700℃.
2. Pastërti e lartë dheuniformiteti termik
3. Rezistencë e shkëlqyer ndaj korrozionit: acid, alkali, kripë dhe reagentë organikë.
4. Fortësi e lartë, sipërfaqe kompakte, grimca të imta.
5. Jetë më e gjatë shërbimi dhe më e qëndrueshme
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Karakteristikat themelore fizike të CVD SiCveshje | |
| 性质 / Pronë | 典型数值 / Vlera tipike |
| 晶体结构 / Struktura Kristale | Faza β FCC多晶，主要为（111). |
| 密度 / Dendësia | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Fortësia | 2500 维氏硬度 (500 g ngarkesë) |
| 晶粒大小 / Madhësia e grurit | 2 ~ 10 μm |
| 纯度 / Pastërtia kimike | 99,99995% |
| 热容 / Kapaciteti i nxehtësisë | 640 J·kg-1· K-1 |
| 升华温度 / Temperatura e sublimimit | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Forca përkulëse | 415 MPa RT 4-pikë |
| 杨氏模量 / Moduli i Young | Përkulje 430 Gpa 4pt, 1300℃ |
| 导热系数 / TermalPërçueshmëria | 300 W·m-1· K-1 |
| 热膨胀系数 / Zgjerimi termik (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Ju mirëpresim ngrohtësisht të vizitoni fabrikën tonë, le të diskutojmë më tej!
