Le tutusa o le pomu ion
magotogitogigae masani lava o se faʻagasologa e tuʻufaʻatasia aʻafiaga faaletino ma vailaʻau, lea o le pomu o le ion o se auala taua etching faaletino. I le taimi o lefaiga etching, o le faʻalavelave faʻafuaseʻi ma le tufatufaina atu o le malosi o ions atonu e le tutusa.
Afai e ese le tulaga o le ion i tulaga eseese i luga o le puipui, o le a ese foi le aafiaga etching o ion i luga o le puipui. I vaega e lapopo'a atu fa'alavelave fa'alavelave fa'alavelave, e malosi atu le a'afiaga o ion i luga o le puipui i autafa, lea o le a mafua ai ona sili atu le togitogiina o le puipui i lea vaega, ma mafua ai ona punou le itu. E le gata i lea, o le tufatufaina le tutusa o le malosi o le ion o le a maua ai foi aafiaga tutusa. O ion e maualuga atu le malosi e mafai ona aveese mea e sili atu ona lelei, e mafua ai le le ogatasitogitogigatikeri o le puipui i tulaga eseese, lea e mafua ai ona punou le puipui i autafa.
Le aafiaga o photoresist
Photoresist o loʻo faʻatinoina le matafaioi o se matapulepule i le faʻamago o le togitogiga, puipuia vaega e le manaʻomia ona togitogi. Ae ui i lea, o le photoresist e aʻafia foi i le pomu o le plasma ma gaioiga faʻamaʻi i le taimi o le etching process, ma e ono suia lona faʻatinoga.
Afai o le mafiafia o le photoresist e le tutusa, o le fua faatatau o le taumafaina i le faagasologa o le etching e le ogatasi, pe o le pipii i le va o le photoresist ma le substrate e ese i nofoaga eseese, e mafai ona taitai atu ai i le le tutusa le puipuiga o sidewalls i le faagasologa o le etching. Mo se faʻataʻitaʻiga, o vaega e sili atu ona manifinifi photoresist poʻo vaivai faʻapipiʻi e mafai ona faʻafaigofie ona togiina mea o loʻo i lalo, ma mafua ai ona punou puipui i ia nofoaga.
Eseesega i meafaitino substrate
O mea fa'apipi'i togitogia lava ia e ono iai ni mea 'ese'ese, e pei o fa'ata'ita'iga tioata 'ese'ese ma fa'atonuga o le doping i vaega 'ese'ese. O nei eseesega o le a aʻafia ai le fua o le togiina ma le filifilia o le togiina.
Mo se faʻataʻitaʻiga, i totonu o le tioata tioata, o le faʻatulagaina o atoms silicon i faʻasologa tioata eseese e ese, ma o lo latou gaioiga ma le fua faʻatatau ma le kesi etching o le a ese foi. I le faagasologa o le togitogiga, o fua faatatau eseese o togitogiga e mafua mai i le eseesega o meafaitino o le a faia ai le loloto o le togitogiina o puipui i nofoaga eseese e le ogatasi, ma iu ai ina punou i autafa o le puipui.
Fa'atatau i meafaigaluega
O le faatinoga ma le tulaga o meafaigaluega etching e iai foi se aafiaga taua i taunuuga etching. Mo se faʻataʻitaʻiga, o faʻafitauli e pei o le le tutusa o le tufatufaina atu o le plasma i totonu o le potu tali ma le faʻaogaina o le eletise e mafai ona oʻo atu ai i le le tutusa o le tufatufaina atu o mea e pei o le ion density ma le malosi i luga o le wafer surface i le taimi o le etching.
E le gata i lea, o le le tutusa o le pulea o le vevela o meafaigaluega ma nai suiga laiti i le tafe o le kesi e mafai foi ona afaina ai le tutusa o le etching, e mafua ai le punou o le puipui.
Taimi meli: Tes-03-2024