Folasaga oSilicon Carbide
Silicon carbide (SIC) ei ai le mamafa o le 3.2g/cm3. O le carbide silikoni masani e seasea lava ma e masani ona faʻapipiʻiina e ala faʻapitoa. E tusa ai ma le eseesega o le faʻavasegaina o le fausaga tioata, e mafai ona vaevaeina carbide silicon i ni vaega se lua: α SiC ma β SiC. O le semiconductor tupulaga lona tolu o loʻo faʻatusalia e le silicon carbide (SIC) o loʻo i ai le tele o taimi, maualuga le lelei, maualuga le malosi, maualuga le malosi o le mamafa, maualuga le vevela ma le malosi o le faʻamalositino. E fetaui lelei mo le tele o manaʻoga faʻapitoa o le faʻasaoina o le malosi ma le faʻaitiitia o le faʻafefe, gaosiga atamai ma le saogalemu o faʻamatalaga. O le lagolagoina lea o le tutoʻatasi fou ma le atinaʻeina ma le suiga o fesoʻotaʻiga feaveaʻi fou, taavale malosi fou, nofoaafi televave, malosi Initaneti ma isi pisinisi. . I le 2020, o le tamaoaiga o le lalolagi ma fefaʻatauaʻiga mamanu o loʻo i totonu o se vaitaimi o le toe faʻaleleia, ma o le totonugalemu ma fafo o le tamaoaiga o Saina e sili atu ona faigata ma ogaoga, ae o le lona tolu o augatupulaga semiconductor industry i le lalolagi o loʻo tuputupu aʻe faasaga i le tulaga. E mana'omia le amana'ia o le silicon carbide alamanuia ua ulufale atu i se tulaga fou o le atina'e.
Silicon carbidetalosaga
Silicon carbide talosaga i semiconductor alamanuia silicon carbide semiconductor alamanuia filifili e masani lava e aofia ai le silicon carbide mama maualuga paʻu, substrate tioata tasi, epitaxial, masini eletise, afifiina module ma le talosaga terminal, ma isi.
1. substrate tioata tasi o le mea lagolago, mea conductive ma substrate tuputupu ae epitaxial o semiconductor. I le taimi nei, o auala tuputupu aʻe o le tioata tasi SiC e aofia ai le faʻafeiloaʻiga o le kesi faaletino (PVT), vaega vai (LPE), faʻapipiʻi vevela vevela vevela (htcvd) ma isi. 2. epitaxial silicon carbide epitaxial sheet e faasino i le tuputupu aʻe o se ata tioata e tasi (epitaxial layer) faʻatasi ai ma nisi manaʻoga ma le faʻatonuga tutusa e pei o le substrate. I le fa'atinoga fa'atino, o masini semiconductor gap lautele e toetoe lava i luga o le epitaxial layer, ma o meataalo carbide silicon latou lava e fa'aaogaina e fai ma substrates, e aofia ai Gan epitaxial layers.
3. maualuga mamaSiCo le paʻu o se mea mataʻutia mo le tuputupu aʻe o tioata carbide tasi tioata e ala ile PVT. O lona mama o oloa e a'afia tonu ai le tuputupu a'e lelei ma meatotino eletise o SiC tioata tasi.
4. o le masini eletise e faia i le silicon carbide, o loʻo i ai uiga o le maualuga o le vevela, maualuga taimi ma maualuga le lelei. E tusa ai ma le faiga galue o le masini,SiCO masini eletise e masani ona aofia ai diodes eletise ma paipa ki sui.
5. i le faʻaogaina o le semiconductor faʻasologa lona tolu, o le lelei o le talosaga faʻaiʻuga e mafai ona latou faʻapipiʻi le GaN semiconductor. Ona o le lelei o le maualuga o le liua, uiga maualalo o le vevela ma le mama o masini SiC, o loʻo faʻaauau pea ona faʻateleina le manaʻoga o pisinisi i lalo, lea e iai le tulaga o le suia o masini SiO2. O loʻo faʻaauau pea ona atiaʻe le tulaga o loʻo iai nei o le atinaʻeina o maketi silicon carbide. Silicon carbide e taʻitaʻia le faʻaogaina o le maketi lona tolu o augatupulaga semiconductor. O le lona tolu o augatupulaga semiconductor oloa ua vave faʻauluina, o loʻo faʻalauteleina le faʻaogaina o fanua, ma o loʻo faʻateleina le maketi i le atinaʻeina o mea tau eletise, fesoʻotaʻiga 5g, faʻapipiʻiina vave ma le faʻaaogaina o le militeri. .
Taimi meli: Mati-16-2021