E pei ona faʻaalia i le Ata 3, e tolu auala faʻapitoa e faʻamoemoe e tuʻuina atu SiC tioata tasi ma le maualuga ma le aoga: epitaxy vaega vai (LPE), felauaiga ausa faaletino (PVT), ma le vevela vevela vevela (HTCVD). O le PVT o se faiga faʻavae lelei mo le gaosia o SiC tioata tasi, lea e faʻaaogaina lautele i le tele o gaosiga o meaʻai.
Ae ui i lea, o faiga uma e tolu o loʻo faʻavavevave ma faʻafouina. E le'o mafai ona iloa po'o fea faiga o le a fa'aaogaina lautele i le lumana'i. Aemaise lava, o le maualuga o le SiC tioata tasi e maua mai i le tuputupu aʻe o fofo i se fua faatatau tele ua lipotia mai i tausaga talu ai nei, o le tuputupu aʻe o le SiC i le vaega vai e manaʻomia ai le maualalo o le vevela nai lo le sublimation poʻo le faʻapipiʻiina, ma e faʻaalia ai le lelei i le gaosia o P. -ituaiga SiC substrates (Laulaula 3) [33, 34].
Ata 3: Fa'ata'ita'iga o metotia fa'atupu tioata ta'ito'atasi SiC e tolu: (a) epitaxy vaega vai; (b) felauaiga ausa faaletino; (c) fa'aputuina ausa vaila'au i le vevela maualuga
Laulau 3: Fa'atusatusaga o le LPE, PVT ma le HTCVD mo le fa'atupuina o tioata ta'itasi SiC [33, 34]
Ole tuputupu aʻe ole fofo ole tekonolosi faʻapitoa mo le sauniaina o semiconductor faʻapipiʻi [36]. Talu mai le 1960s, ua taumafai tagata suʻesuʻe e atiaʻe se tioata i fofo [37]. O le taimi lava e atiina ae ai le tekinolosi, e mafai ona pulea lelei le supersaturation o luga o le tuputupu aʻe, lea e avea ai le auala fofo o se tekinolosi folafolaina mo le mauaina o le tulaga maualuga tasi tioata ingots.
Mo le fa'atupuina o vaifofo o le tioata tasi SiC, o le puna Si e afua mai le sili mama Si liusuavai a'o le graphite crucible e lua faamoemoega: vevela ma C solute puna. SiC tioata tasi e sili atu ona tupu i lalo o le fua faatatau stoichiometric lelei pe a latalata le fua o C ma Si i le 1, e faʻaalia ai le maualalo o le faʻaletonu [28]. Ae ui i lea, i le mamafa o le ea, o le SiC e leai se mea liusuavai ma faʻaleagaina saʻo e ala i le vevela o le vevela e sili atu ile 2,000 °C. SiC liusuavai, e tusa ai ma manatu fa'ata'ita'iga, e mafai ona fausia i lalo o le ogaoga e va'aia mai le Si-C binary vaega ata (Ata. 4) e ala i le vevela gradient ma fofo faiga. O le maualuga o le C i le Si liusuavai e eseese mai le 1at.% i le 13at.%. O le avetaʻavale C supersaturation, o le televave o le tuputupu aʻe, aʻo le maualalo C malosi o le tuputupu aʻe o le C supersaturation o loʻo pulea le mamafa o le 109 Pa ma le vevela i luga aʻe o le 3,200 °C. E mafai ona supersaturation e maua ai se mea lamolemole [22, 36-38]. vevela i le va o le 1,400 ma le 2,800 °C, o le solubility o le C i le Si liusuavai ese mai le 1at.% i le 13at.%. O le malosi o le tuputupu aʻe o le C supersaturation lea e pulea e le vevela gradient ma le faʻaogaina o le fofo. O le maualuga o le C supersaturation, o le televave o le tuputupu aʻe, aʻo le maualalo o le C supersaturation e maua ai se mea lamolemole [22, 36-38].
Ata 4: Si-C fa'ata'ita'i vaega lua [40]
E le gata ina fa'aitiitia lelei le vevela o le tuputupu a'e ae foliga mai e na'o le pau lea o le auala e fa'aleleia atili ai le solubility carbon i Si liusuavai. O le faʻaopoopoga o uʻamea vaega o suiga, e pei o Ti [8, 14-16, 19, 40-52], Cr [29, 30, 43, 50, 53-75], Co [63, 76], Fe [77- 80], ma isi po'o u'amea eleele e le masani ai, e pei o le Ce [81], Y [82], Sc, ma isi i le Si fa'afefeteina e mafai ai le solubility carbon. e sili atu i le 50at.% i se setete e latalata ile thermodynamic equilibrium. E le gata i lea, o le LPE metotia e lelei mo le P-ituaiga doping o SiC, lea e mafai ona ausia e ala i le faʻafefiloi Al i totonu o le.
solvent [50, 53, 56, 59, 64, 71-73, 82, 83]. Ae ui i lea, o le tuʻufaʻatasia o Al e taʻitaʻia ai le faʻateleina o le resistivity o P-ituaiga SiC tioata tasi [49, 56]. E ese mai i le tuputupu aʻe o le N i lalo o le nitrogen doping,
O le tuputupu a'e o vaifofo e masani lava ona tupu ile atemosifia kasa. E ui lava e sili atu le taugata o le helium (He) nai lo le argon, ae e fiafia i ai le tele o tagata atamamai ona o le maualalo o le viscosity ma le maualuga o le vevela (8 taimi o argon) [85]. Ole fua ole femalagaiga ma le Cr i totonu ole 4H-SiC e tutusa i lalo ole He ma Ar atemosifia, ua faʻamaonia ai o le tuputupu aʻe i lalo o Heresults i se maualuga maualuga o le tuputupu aʻe nai lo le tuputupu aʻe i lalo Ar ona o le tele o le vevela o le faʻamauina o fatu [68]. Na te faʻalavelaveina le faʻaogaina o le gaogao i totonu o le tioata tupu ma le faʻaogaina faʻafuaseʻi i le fofo, ona mafai lea ona maua se morphology lamolemole [86].
O lenei pepa na faʻaalia ai le atinaʻeina, faʻaoga, ma meatotino o masini SiC, ma auala autu e tolu mo le faʻatupulaia o le tioata tasi SiC. I vaega o lo'o mulimuli mai, na toe iloiloina ai auala fa'atupula'ia o fofo o lo'o iai nei ma ta'iala autu talafeagai. Mulimuli ane, na fa'atūina se va'aiga e fa'atalanoaina ai lu'itau ma galuega i le lumana'i e fa'atatau i le tele o le tuputupu a'e o tioata ta'itasi SiC e ala i auala fofo.
Taimi meli: Iul-01-2024