O le faʻavaeina o le silicon dioxide i luga o le silicon e taʻua o le faʻamaʻiina, ma o le fausiaina o le silicon dioxide mautu ma le faʻapipiʻi malosi na mafua ai le fanau mai o tekinolosi faʻatekonolosi eletise. E ui lava e tele auala e faʻatupu saʻo ai le silicon dioxide i luga o le silicon, e masani lava ona faia e ala i le faʻamaʻiina o le vevela, o le faʻaalia lea o le silikoni i se siosiomaga maualuga o le vevela (oxygen, vai). E mafai ona pulea e auala fa'avevela vevela le mafiafia o le ata ma uiga fa'afeso'ota'i silicon/silicon dioxide i le taimi o le tapenaga o ata fa'asolo. O isi auala mo le fa'atupuina o le silicon dioxide o le plasma anodization ma le susu anodization, ae leai se tasi o nei metotia na fa'aaogaina lautele i faiga VLSI.
O le silikoni o loʻo faʻaalia ai se uiga e fausia ai le silicon dioxide. Afai o lo'o fa'aalia i se si'osi'omaga fa'ama'i (pei o le okesene, vai), o le a fa'atupu ai se mea manifinifi o le oxide (<20Å) e o'o lava ile vevela o le potu. Pe a faʻaalia le silikoni i se siosiomaga faʻamaʻi i le maualuga o le vevela, o le a faʻatupuina se mea e sili atu le mafiafia o le oxide i se saoasaoa vave. O le auala autu o le fa'avaeina o le silicon dioxide mai le silicon ua malamalama lelei. Na fausia e Deal ma Grove se fa'ata'ita'iga fa'a-matematika e fa'amatala sa'o ai le fa'atuputeleina o ata o le oxide e sili atu le mafiafia nai lo le 300Å. Na latou fautua mai o le faʻamaʻiina o loʻo faʻatinoina i le auala lea, o lona uiga, o le oxidant (vai mole ma mole okesene) e faʻasalalau i luga o le oxide o loʻo i ai nei i le Si / SiO2 interface, lea e tali atu ai le oxidant ma le silicon e fausia ai le silicon dioxide. O le tali autu e fai ai le silicon dioxide ua faamatalaina e faapea:
O le faʻamaʻi faʻamaʻi e tupu i le Si / SiO2 interface, o lea pe a tupu le oxide layer, o loʻo faʻaauau pea le faʻaogaina o le silicon ma faʻasolosolo malie le osofaʻi e le atinaʻe. E tusa ai ma le mamafa tutusa ma le mamafa mole o le silicon ma le silicon dioxide, e mafai ona maua o le silikoni faʻaaogaina mo le mafiafia o le oxide layer mulimuli e 44%. I lenei auala, afai e tupu le oxide layer 10,000Å, 4400Å o le silikoni o le a fa'aumatia. E taua lenei sootaga mo le fuafuaina o le maualuga o laasaga na faia i luga o lesilikoni wafer. O laasaga o le taunuuga o fua faatatau oxidation eseese i nofoaga eseese i luga o le silicon wafer surface.
Matou te tuʻuina atu foʻi oloa graphite mama ma silicon carbide, lea e masani ona faʻaogaina i le gaosiga o mea e pei o le faʻamaʻiina, faʻasalalau, ma le faʻafefe.
Faʻafeiloaʻi soʻo se tagata faʻatau mai le lalolagi atoa e asiasi mai mo se isi talanoaga!
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Taimi meli: Nov-13-2024