Semiconductor masini o le totonugalemu o masini faʻaonaponei masini masini, faʻaaogaina lautele i komepiuta, tagata faʻatau eletise, fesoʻotaʻiga fesoʻotaʻiga, masini eletise, ma isi vaega o le autu, o le semiconductor alamanuia e masani ona aofia ai vaega autu e fa: fesoʻotaʻiga tuʻufaʻatasia, masini optoelectronic, masini tuufua, sensor, lea e sili atu i le 80% o fesoʻotaʻiga tuʻufaʻatasia, e masani lava ma semiconductor ma fesoʻotaʻiga tutusa tutusa.
Integrated circuit, e tusa ai ma le vaega o oloa e masani ona vaevaeina i ni vaega se fa: microprocessor, manatua, masini faʻaoga, vaega simulator. Ae ui i lea, faʻatasi ai ma le faʻaauau pea o le faʻalauteleina o le faʻaogaina o masini semiconductor, o le tele o taimi faʻapitoa e manaʻomia ai semiconductors e mafai ai ona tausisia le faʻaogaina o le vevela maualuga, faʻamalosi malosi, malosi maualuga ma isi siosiomaga, aua le faʻaleagaina, le muamua ma le lua o augatupulaga o. mea semiconductor e leai se malosi, o lea na oo mai ai le lona tolu o augatupulaga o mea semiconductor.
I le taimi nei, o mea semiconductor gap lautele o loʻo faʻatusalia ecarbide silikoni(SiC), gallium nitride (GaN), zinc oxide (ZnO), taimane, alumini nitride (AlN) o loʻo nofoia le maketi iloga ma sili atu faʻamanuiaga, faʻatasi e taʻua o le lona tolu o augatupulaga semiconductor mea. O le lona tolu o augatupulaga o mea semiconductor ma le lautele lautele o le va, o le maualuga o le malepelepe eletise eletise, faʻavevela eletise, eletise eletise ma maualuga atu le malosi e tetee atu ai i le vevela, sili atu ona talafeagai mo le faia o le vevela maualuga, maualuga taimi, tetee i le vevela ma masini eletise maualuga. , e masani ona taʻua o mea lautele bandgap semiconductor mea (faʻasaina le lautele lautele e sili atu i le 2.2 eV), e taʻua foi o le vevela maualuga o mea semiconductor. Mai suʻesuʻega o loʻo i ai nei i luga o mea faʻapipiʻi semiconductor lona tolu ma masini, silicon carbide ma gallium nitride semiconductor mea e sili atu ona matua, matekinolosi carbide silikone sili ona matua, ae o le suʻesuʻega i le zinc oxide, taimane, alumini nitride ma isi mea o loʻo i ai pea i le tulaga muamua.
Meafaitino ma a latou mea totino:
Silicon carbideo mea e masani ona faʻaaogaina i paʻu polo sima, valve, mea semiconductor, gyros, fuaina o meafaigaluega, aerospace ma isi fanua, ua avea ma mea e le mafai ona suia i le tele o alamanuia.
SiC o se ituaiga superlattice masani ma se polytype tutusa tutusa. E sili atu i le 200 (ua iloa nei) aiga polytypic homotypic ona o le eseesega i le faʻapipiʻiina o faʻasologa i le va o Si ma C diatomic layers, lea e tau atu i fausaga tioata eseese. O le mea lea, o le SiC e fetaui lelei mo le augatupulaga fou o le moli emitting diode (LED) mea substrate, mea eletise eletise maualuga.
| uiga | |
| meatotino faaletino | Malosi maualuga (3000kg/mm), e mafai ona tipi le ruby |
| Maualuluga le ofuina, lona lua i taimane | |
| O le faʻauluina vevela e 3 taimi maualuga atu nai lo le Si ma 8 ~ 10 taimi maualuga atu nai lo GaAs. | |
| E maualuga le mautu o le vevela o le SiC ma e le mafai ona liusuavai i le mamafa o le ea | |
| O le lelei o le fa'aogaina o le vevela e taua tele mo masini maualuga | |
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mea tau kemisi | E malosi tele le fa'a'ele'ele, e fa'asa'o i le toetoe lava o so'o se so'o so'o se mea fa'a'ala'au iloa ile vevela ole potu |
| SiC luga faigofie oxidizes e fausia SiO, vaega manifinifi, e mafai ona taofia lona oxidation atili, in I luga aʻe o le 1700 ℃, o le ata o le oxide e liusuavai ma faʻamaʻi vave | |
| Ole fusi ole 4H-SIC ma le 6H-SIC e tusa ma le 3 taimi ole Si ma le 2 taimi ole GaAs: O le malepelepe o le malosi o le eletise o se faʻatonuga o le maualuga maualuga atu nai lo Si, ma o le saosaoa faʻafefe eletise ua tumu. Faalua ma le afa taimi le Si. Ole fusi ole 4H-SIC e lautele atu nai lo le 6H-SIC |
Taimi meli: Aukuso-01-2022