Silicon carbide ceramics: sa'o vaega e mana'omia mo faiga semiconductor

Fa'atekonolosi photolithography e taula'i tele i le fa'aogaina o masini fa'apitoa e fa'aalia ai fa'ata'ita'iga fa'ata'ita'i i luga o fa'ama'i fa'asolo. O le saʻo o lenei faagasologa e afaina tonu ai le faʻatinoga ma le gaosiga o fesoʻotaʻiga tuʻufaʻatasia. I le avea ai ma se tasi o meafaigaluega pito i luga mo le gaosiga o chip, o le masini lithography e aofia ai le selau afe o vaega. O vaega fa'apitoa uma ma vaega i totonu o le lithography system e mana'omia tele le sa'o maualuga e fa'amautinoa ai le fa'atinoina o le matagaluega ma le sa'o.SiC keramikaua faʻaaogaina i totonuchucks waferma faata faatafafā sima.

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Fa'a'a'a'aiO le wafer chuck i totonu o le masini lithography e amoina ma fa'agaoioi le wafer i le taimi o le fa'aaliga. O le fa'aoga sa'o i le va o le wafer ma le chuck e mana'omia mo le sa'o lelei o le fa'atusaina o le fa'ata'ita'iga i luga o le fa'ama'i.SiC waferchucks ua lauiloa mo lo latou mama, mautu tulaga maualuga ma maualalo le faʻalauteleina o le vevela, lea e mafai ona faʻaitiitia ai avega inertial ma faʻaleleia atili le gaioiga, faʻatulagaina saʻo ma mautu.

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Fa'ata sikuea sima I totonu o le masini lithography, o le fa'agaoioiga o gaioiga i le va o le wafer chuck ma le mask stage e taua tele, lea e a'afia ai le sa'o ma le fua o le lithography. O le reflector sikuea o se vaega autu o le masini wafer chuck scanning positioning feedback measurement system, ma o mea e mana'omia e mama ma sa'o. E ui lava o le silicon carbide ceramics e iai mea mama mama, o le gaosiga o ia vaega e faigata. Ole taimi nei, ole ta'ita'i fa'ava-o-malo tu'ufa'atasiga gaosi mea faigaluega fa'atasi e masani ona fa'aogaina mea e pei ole fused silica ma cordierite. Ae ui i lea, faatasi ai ma le alualu i luma o tekinolosi, ua ausia e le au atamamai Saina le gaosiga o le tele-tele, lavelave-foliga, sili ona mama, faʻapipiʻi atoa faʻata faʻataʻitaʻi sima carbide faʻata ma isi vaega faʻaogaina mo masini photolithography. O le photomask, lea e taʻua foi o le aperture, e faʻasalalau le malamalama e ala i le ufimata e fai ai se mamanu i luga o mea e faʻaogaina ata. Ae peita'i, a fa'amumuina e le EUV le ufimata, e fa'aosoina le vevela, ma fa'ae'e ai le vevela i le 600 i le 1000 tikeri Celsius, lea e ono fa'aleagaina ai le vevela. O le mea lea, o se vaega o le ata SiC e masani ona teuina i luga o le photomask. O le tele o kamupani mai fafo, e pei o le ASML, o loʻo ofoina atu nei ata tifaga e sili atu nai lo le 90% e faʻaitiitia ai le faʻamamaina ma le asiasiga i le taimi o le faʻaogaina o le photomask ma faʻaleleia le lelei ma le gaosiga o oloa a EUV photolithography machines.

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Plasma Etchingma le Deposition Photomasks, e taʻua foi o crosshairs, ei ai le galuega autu o le faʻasalalauina o le malamalama e ala i le ufimata ma fai se mamanu i luga o mea e faʻaogaina ata. Ae peita'i, a fa'amumuina e le malamalama o le EUV (extreme ultraviolet) le ufimata, e fa'aosoina le vevela, ma fa'ae'e ai le vevela i le va o le 600 ma le 1000 tikeri Celsius, e ono fa'aleagaina ai le vevela. O le mea lea, o se vaega o le silicon carbide (SiC) ata e masani ona teuina i luga o le photomask e faʻaitiitia ai lenei faʻafitauli. I le taimi nei, o le tele o kamupani mai fafo, e pei o le ASML, ua amata ona tuʻuina atu ata tifaga ma le manino o le sili atu i le 90% e faʻaitiitia ai le manaʻomia mo le faʻamamaina ma le asiasiga i le taimi o le faʻaogaina o le photomask, ma faʻaleleia atili ai le lelei ma le gaosiga o oloa o masini lithography EUV. . Plasma Etching maMamae Taulai Tuutuugama isi I le gaosiga o le semiconductor, o le fa'agasologa o le etching e fa'aaogaina ai le vai po'o le kesi etchants (e pei o kasa o lo'o i ai le fluorine) fa'apipi'iina i totonu o le plasma e tu'i ai le wafer ma filifili le mea e le mana'omia se'ia tumau le mamanu o le ta'amilosaga mana'omia i luga o le.waferluga. I le fa'atusatusaga, o le fa'aputuina o ata manifinifi e tutusa ma le pito i tua o le etching, e fa'aaoga ai se auala fa'aputu e fa'aputu ai mea fa'amama i le va o u'amea e fai ai se ata manifinifi. Talu ai o faiga uma e lua o loʻo faʻaogaina ai le tekonolosi plasma, e faigofie ona afaina ai aʻafiaga i luga o potu ma vaega. O le mea lea, o vaega o loʻo i totonu o meafaigaluega e manaʻomia ina ia lelei le teteʻeina o le plasma, maualalo le gaioiga i kasa etching fluorine, ma le maualalo o le amio. Fa'aleaganu'u etching ma fa'apipi'i mea faigaluega, e pei o mama taula'i, e masani lava ona faia i mea e pei o le silicon po'o le quartz. Ae ui i lea, faʻatasi ai ma le faʻalauteleina o le faʻaogaina o le miniaturization circuit, o le manaʻoga ma le taua o le faʻaogaina o faiga i totonu o gaosiga faʻatasi ua faʻateleina. I le microscopic level, e manaʻomia saʻo le kasa wafer etching e maualuga-malosi plasma e ausia ai laʻititi laina lautele ma sili atu ona lavelave fausaga masini. O le mea lea, ua faasolosolo malie lava le avea o mea faʻapipiʻi sili ona lelei mo le faʻapipiʻiina o le ausa (CVD) silicon carbide (CVD) mo mea faʻapipiʻi ma mea faʻapipiʻi faʻatasi ai ma ona uiga lelei faaletino ma vailaʻau, maualuga maualuga ma tutusa. I le taimi nei, o vaega CVD silicon carbide i meafaigaluega etching e aofia ai mama taulaʻi, ulu taʻele kesi, fata ma mama pito. I mea fa'apipi'i, o lo'o i ai ufiufi potu, fa'alava potu maSIC fa'apipi'i graphite substrates.

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Ona o le maualalo o le gaioiga ma le faʻaogaina i kasa etching chlorine ma fluorine,CVD silikon carbideua avea ma mea lelei mo vaega e pei o mama taulaʻi i masini etching plasma.CVD silikon carbidevaega i meafaigaluega etching e aofia ai mama taulaʻi, ulu taele kesi, fata, mama pito, ma isi. Ave mama taulaʻi e fai ma faʻataʻitaʻiga, o vaega autu ia e tuʻuina i fafo o le wafer ma faʻafesoʻotaʻi saʻo ma le wafer. E ala i le faʻaogaina o le voltage i le mama, o le plasma e taulaʻi atu i le mama i luga o le wafer, faʻaleleia le tutusa o le faagasologa. I le masani ai, o mama taulaʻi e faia i le silikoni poʻo le quartz. Peita'i, a'o aga'i i luma le fa'aitiitiga fa'atasi, o le mana'oga ma le taua o fa'agasologa o fa'asologa i le gaosiga fa'atasi fa'atasi o lo'o fa'aauau pea ona fa'atupula'ia. O lo'o fa'aauau pea ona fa'atupula'ia le mana etching plasma ma mana'oga malosi, aemaise lava i masini etching plasma (CCP) capacitively coupled, lea e mana'omia ai le malosi maualuga o le plasma. O se taunuuga, o le faʻaaogaina o mama taulaʻi e faia i mea faʻapipiʻi carbide ua faʻateleina.


Taimi meli: Oke-29-2024
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