SiC fa'apipi'i graphite fa'avae e masani ona fa'aoga e lagolago ma fa'avela ai mea tioata ta'itasi i masini fa'ameamea fa'ameamea fa'ameamea (MOCVD). O le faʻamautuina o le vevela, faʻaogaina o le vevela ma isi faʻataʻitaʻiga o le SiC coated graphite base o loʻo i ai se sao taua i le tulaga lelei o le tuputupu aʻe o mea epitaxial, o lea o le vaega autu autu lea o meafaigaluega MOCVD.
I le fa'agasologa o le gaosiga o le wafer, o lo'o fa'apipi'i fa'apipi'i epitaxial layers i luga o nisi o mea fa'atosina e faafaigofie ai le gaosiga o masini. E mana'omia e masini fa'amalama fa'amalama fa'apitoa a le ta'ita'i ona saunia fa'a epitaxial o le GaA i luga o mea fa'apipi'i; O le SiC epitaxial layer e tupu aʻe i luga o le conductive SiC substrate mo le fausiaina o masini e pei o le SBD, MOSFET, ma isi, mo le maualuga o le voltage, maualuga o loʻo iai nei ma isi mana faʻaoga; GaN epitaxial layer o loʻo fausia ile semi-insulated SiC substrate e faʻaleleia atili ai le HEMT ma isi masini mo talosaga RF e pei o fesoʻotaʻiga. O lenei faiga e le mafai ona tu'ueseeseina mai masini CVD.
I totonu o masini CVD, e le mafai ona tuʻu saʻo le substrate i luga o le uʻamea pe naʻo le tuʻuina i luga o se faʻavae mo le epitaxial deposition, aua e aofia ai le tafe o le kesi (tutusa, tūsaʻo), vevela, mamafa, faʻapipiʻiina, faʻamaligiina o mea filogia ma isi vaega o le. o a'afiaga. O le mea lea, e manaʻomia le faʻaogaina o se faʻavae, ona tuʻu lea o le substrate i luga o le tisiketi, ona faʻaogaina lea o le tekonolosi CVD i le epitaxial deposition i luga o le substrate, o le SiC coated graphite base (faʻapitoa foi o le fata).
SiC fa'apipi'i graphite fa'avae e masani ona fa'aoga e lagolago ma fa'avela ai mea tioata ta'itasi i masini fa'ameamea fa'ameamea fa'ameamea (MOCVD). O le faʻamautuina o le vevela, faʻaogaina o le vevela ma isi faʻataʻitaʻiga o le SiC coated graphite base o loʻo i ai se sao taua i le tulaga lelei o le tuputupu aʻe o mea epitaxial, o lea o le vaega autu autu lea o meafaigaluega MOCVD.
Metal-organic vapor deposition (MOCVD) o le tekinolosi autu mo le tuputupu aʻe epitaxial o ata GaN i le lanumoana lanumoana. O loʻo i ai le lelei o le faʻaogaina faigofie, faʻatonuina le tuputupu aʻe ma le mama maualuga o ata GaN. I le avea ai o se vaega taua i le potu tali o masini MOCVD, o le faʻavae o loʻo faʻaaogaina mo le GaN ata tifaga epitaxial tuputupu aʻe e manaʻomia ona i ai le lelei o le maualuga o le vevela, faʻaogaina o le vevela, faʻamautu lelei vailaʻau, malosi faʻateʻia vevela, ma isi mea. tulaga i luga.
I le avea ai o se tasi o vaega autu o masini MOCVD, o le graphite base o le ave ma le faʻavevela tino o le substrate, lea e fuafua saʻo ai le tutusa ma le mama o mea ata tifaga, o lona uiga lelei e aʻafia ai le saunia o le pepa epitaxial, ma i le tutusa. taimi, faʻatasi ai ma le faʻateleina o le numera o faʻaoga ma le suiga o tulaga faigaluega, e matua faigofie lava ona ofuina, o loʻo i totonu o mea faʻaaogaina.
E ui lava o le graphite e sili ona lelei le faʻaogaina o le vevela ma le mautu, o loʻo i ai se avanoa lelei e avea o se vaega autu o meafaigaluega MOCVD, ae i le faagasologa o le gaosiga, o le a faʻaleagaina e le graphite le paʻu ona o le toega o kasa ma metallic organics, ma le ola tautua o le faavae graphite o le a matua faaitiitia. I le taimi lava e tasi, o le pauu pa'ū graphite o le a mafua ai le filogia i le pu.
O le tulaʻi mai o tekonolosi faʻapipiʻi e mafai ona tuʻuina atu le faʻapipiʻiina o le paʻu, faʻaleleia le faʻafefe o le vevela, ma tutusa le tufatufaina o le vevela, lea ua avea ma tekonolosi autu e foia ai lenei faafitauli. Fa'avae graphite i masini MOCVD fa'aoga si'osi'omaga, graphite fa'avae pito i luga e tatau ona fetaui ma uiga nei:
(1) E mafai ona afifi atoatoa le faavae graphite, ma le density e lelei, a leai o le faavae graphite e faigofie ona corroded i le kesi corrosive.
(2) O le malosi tuʻufaʻatasia ma le faavae graphite e maualuga e faʻamautinoa ai e le faigofie ona paʻu ese le ufiufi pe a uma le tele o le vevela ma le maualalo o le vevela.
(3) E lelei le mautu o vailaʻau e aloese ai mai le faʻaogaina o le paʻu i le maualuga o le vevela ma le atemosifia pala.
O le SiC o loʻo i ai le lelei o le faʻamaʻiina o le pala, maualuga le vevela, faʻalavelave faʻafuaseʻi ma le mautu o vailaʻau, ma e mafai ona galue lelei i le GaN epitaxial atmosphere. E le gata i lea, o le maualuga o le faʻalauteleina o le vevela o le SiC e matua ese lava mai le graphite, o lea o le SiC o le mea sili lea mo le faʻapipiʻiina o le graphite base.
I le taimi nei, o le SiC masani o le 3C, 4H ma le 6H ituaiga, ma o le SiC faʻaogaina o ituaiga tioata eseese e eseese. Mo se faʻataʻitaʻiga, e mafai e le 4H-SiC ona gaosia masini maualuga; 6H-SiC e sili ona mautu ma e mafai ona gaosia masini photoelectric; Ona o lona fausaga tutusa i le GaN, e mafai ona faʻaaogaina le 3C-SiC e gaosia ai le gaN epitaxial layer ma le gaosiga o masini SiC-GaN RF. 3C-SiC e masani ona taʻua o le β-SiC, ma o se faʻaoga taua o le β-SiC o se ata tifaga ma mea faʻapipiʻi, o lea o le β-SiC o loʻo avea nei ma mea autu mo le ufiufi.
Taimi meli: Au-04-2023