Tulaga su'esu'e ole SiC integrated circuit

E ese mai le S1C masini tuufua e tulituliloa voltage maualuga, malosi maualuga, maualuga taimi ma uiga vevela maualuga, o le sini suʻesuʻe o le SiC integrated circuit o le tele lava o le mauaina o le eletise numera maualuga mo le eletise eletise ICs. A o SiC fesoʻotaʻiga fesoʻotaʻiga mo le eletise eletise i totonu e matua maualalo, o lea o le a faʻaitiitia ai le aafiaga o le microtubules defect, o le vaega muamua lea o le monolithic SiC integrated operational amplifier chip na faʻamaonia, o le mea moni maeʻa ma fuafuaina e le fua e sili atu le maualuga. nai lo microtubules faaletonu, o le mea lea, e faʻavae i luga o le SiC fua faʻataʻitaʻiga ma mea Si ma CaAs e manino lava ese. O le pu e faʻavae i luga ole tekinolosi NMOSFET. O le mafua'aga autu ona o le fa'aogaina lelei o le fe'avea'i o auala fa'aliliu SiC MOSFET e maualalo tele. Ina ia faʻaleleia atili le faʻaogaina o le Sic, e tatau ona faʻaleleia ma faʻamalieina le faagasologa o le faʻamaʻiina o le Sic.

Ua faia e le Iunivesite o Purdue le tele o galuega ile SiC integrated circuits. I le 1992, na manuia le atinaʻeina o le falegaosimea e faʻavae i luga ole laina faʻasolosolo 6H-SIC NMOSFETs monolithic digital integrated circuit. O le pu o lo'o i ai ae le o le faitoto'a, po'o le leai o se faitoto'a, luga po'o le faitoto'a, fata fa'atau, ma le afa fa'apipi'i ma e mafai ona fa'agaioi lelei i le va o le vevela o le 25°C i le 300°C. I le 1995, o le muamua SiC vaalele MESFET Ics na faʻaaogaina e faʻaogaina ai le vanadium injection isolation technology. E ala i le pulea saʻo o le aofaʻi o le vanadium tui, e mafai ona maua se SiC faʻapipiʻi.

I ta'aloga fa'akomepiuta, CMOS circuits e sili atu ona manaia nai lo NMOS circuits. Ia Setema 1996, na fausia ai le 6H-SIC CMOS numera fa'atasi fa'atasi. O le masini e faʻaaogaina le N-order ma le faʻapipiʻiina o le oxide layer, ae ona o isi faʻafitauli faʻafitauli, o le pusi PMOSFETs threshold voltage e maualuga tele. Ia Mati 1997 ina ua gaosia le lona lua o augatupulaga SiC CMOS circuit. O le tekonolosi o le tui o le mailei P ma le vevela o le tuputupu ae o le oxide layer ua faʻaaogaina. Ole laina ole laina ole PMOSEFT na maua ile faʻaleleia ole faagasologa e tusa ma le -4.5V. O ta'amilosaga uma i luga o le pu e galue lelei i le vevela o le potu e o'o atu i le 300°C ma o lo'o fa'aosoina e le eletise e tasi, lea e mafai ona maua i so'o se mea mai le 5 i le 15V.

Faatasi ai ma le faʻaleleia atili o le tulaga lelei o le substrate, o le a sili atu ona aoga ma maualuga atu le gaosiga faʻatasi o le a faia. Ae peitaʻi, pe a foʻia faʻafitauli o le SiC ma le faʻagasologa, o le faʻamaoni o masini ma afifi o le a avea ma mea autu e aʻafia ai le faʻatinoina o le maualuga o le vevela SiC fesoʻotaʻiga fesoʻotaʻiga.