O aso nei C, N, B ma isi non-oxide maualuga-tekonolosi refractory mea mata, atmospheric uunaiga sintered silicon carbide e tele, tamaoaiga, e mafai ona faapea emery po refractory oneone. carbide silikoni mama ole tioata manino lanu. O le a la le fausaga o meafaitino ma uiga o le silicon carbide?
Sintered silicon carbide i lalo o le mamafa o le ea
Fa'atonuga meafaitino o le ea omiga sintered silicon carbide:
O le mamafa o le ea sintered silicon carbide o loʻo faʻaaogaina i alamanuia o le lanu samasama, lanumeamata, lanumoana ma le uliuli e tusa ai ma le ituaiga ma mea o loʻo i totonu o mea leaga, ma e ese le mama ma e ese le manino. O le fausaga tioata carbide silicon ua vaevaeina i le ono-upu po o taimane foliga plutonium ma kupita plutonium-sic. O le Plutonium-sic e fa'atupu ai le tele o fa'aletonu ona o le fa'aputuga 'ese'ese o le kaponi ma le silicon atoms i totonu o le fausaga tioata, ma sili atu i le 70 ituaiga fa'aletonu ua maua. beta-SIC liliu mai i le alpha-SIC i luga aʻe o le 2100. O le faʻagasologa o pisinisi o le silicon carbide ua faʻamamaina i le oneone quartz maualuga ma le suauʻu coke i totonu o se ogaumu tetee. O poloka carbide silicon ua nutimomoia, fa'amama fa'ameamea, fa'amama maneta, su'esu'e po'o le filifilia o le vai e maua ai le tele o mea fa'apitoa.
O meafaitino uiga o le ea sintered silicon carbide:
Silicon carbide o loʻo i ai le faʻamautuina o vailaʻau lelei, faʻaogaina o le vevela, faʻalauteleina o le vevela, faʻafefeteina, e faʻaopoopo i le faʻaogaina o le abrasive, e tele faʻaoga: Mo se faʻataʻitaʻiga, o le paʻu carbide silicon o loʻo ufiufi i totonu o le puipui o le turbine impeller poʻo le cylinder block ma se faʻagasologa faʻapitoa, lea e mafai ona faʻaleleia ai le faʻaogaina o le ofuina ma faʻalauteleina le ola o le 1 i le 2 taimi. Faia i le vevela-tete'e, la'ititi la'ititi, mama mama, maualuga le malosi o mea fa'ato'aga maualuga, malosi malosi e matua lelei. carbide silikoni maualalo (e aofia ai e uiga i le 85% SiC) o se deoxidizer sili ona lelei mo le faateleina o le saoasaoa o le uʻamea ma faigofie ona pulea le vailaʻau e faʻaleleia ai le lelei. E le gata i lea, o le ea o le ea sintered silicon carbide o loʻo faʻaaogaina lautele i le gaosiga o vaega eletise o laʻau carbon carbon.
Silicon carbide e faigata tele. Morse ma'a'a e 9.5, lona lua na'o le taimane malo (10), o se semiconductor ma conductivity vevela sili ona lelei, e mafai ona tetee oxidation i le vevela maualuga. Silicon carbide e le itiiti ifo ma le 70 ituaiga tioata. Plutonium-silicon carbide o se isomer masani e fai i le vevela i luga aʻe o le 2000 ma e iai se fausaga tioata hexagonal (e tutusa ma le wurtzite). Sintered silicon carbide i lalo o le mamafa o le ea
Fa'aaogāina o le silicon carbide i semiconductor alamanuia
Ole filifili ole alamanuia semiconductor silicon carbide e aofia ai le silicon carbide high-purity powder, tasi tioata substrate, epitaxial sheet, eletise vaega, module packaging and terminal applications.
1. Su'ega tioata tasi Su'ega tioata tasi o se semiconductor mea lagolago, mea conductive ma substrate tuputupu ae epitaxial. I le taimi nei, o auala tuputupu aʻe o le tioata tasi SiC e aofia ai le faʻafeiloaʻiga o le ausa faʻaletino (Metotia PVT), auala faʻafefe vai (Metotia LPE), ma le maualuga o le vevela o le faʻaogaina o le vevela (metotia HTCVD). Sintered silicon carbide i lalo o le mamafa o le ea
2. Pepa epitaxial Silicon carbide epitaxial pepa, silicon carbide pepa, ata tioata tasi (epitaxial layer) faʻatasi ai ma le itu tutusa e pei o le tioata substrate o loʻo i ai ni manaʻoga faapitoa mo le mea faʻapipiʻi carbide. I fa'atinoga fa'atino, o masini semiconductor gap lautele e toetoe lava o mea uma e gaosia i totonu o le epitaxial layer, ma o le kesi kaika lava ia e fa'aaogaina e fai ma sui, e aofia ai le substrate o le gaN epitaxial layer.
3. High-purity silicon carbide powder High-purity silicon carbide powder o le mea mataʻutia mo le tuputupu aʻe o le silicon carbide tioata tasi e ala i le PVT metotia, ma o le mama o le oloa e aʻafia ai le lelei o le tuputupu aʻe ma uiga eletise o le tioata tasi tioata.
4. O le masini eletise o se malosiaga lautele-faʻapipiʻi e faia i mea carbide silicon, o loʻo i ai uiga o le maualuga o le vevela, maualuga taimi ma maualuga le lelei. E tusa ai ma le faʻaogaina o le masini, o le masini eletise SiC e masani lava ona aofia ai se diode eletise ma se paipa ki.
5. Terminal I le tolu-tupulaga semiconductor talosaga, silicon carbide semiconductor maua le lelei o le lagolago i gallium nitride semiconductors. Ona o le maualuga o le liua, uiga maualalo o le vevela, mama ma isi mea lelei o masini SiC, o loʻo faʻaauau pea ona faʻateleina le manaʻoga o le alamanuia i lalo, ma o loʻo i ai se tulaga e sui ai masini SiO2.
Taimi meli: Iuni-16-2023