1. Vaaiga lautele omea fa'apipi'i carbide silikonifaiga faatekonolosi
O le taimi neimea fa'apipi'i carbide silikoni laasaga gaioiga e aofia ai: oloina le li'o fafo, slicing, chamfering, olo, polesi, faamama, ma isi Slicing o se laasaga taua i semiconductor substrate faagasologa ma se laasaga autu i le faaliliuina o le ingot i le substrate. I le taimi nei, o le tipiina omea fa'apipi'i carbide silikonie tele ina tipi uaea. O le tipi slurry tele-uaea o le auala sili lea e tipi ai le uaea i le taimi nei, ae o loʻo i ai pea faʻafitauli o le le lelei o le tipiina ma le tele o le gau. O le leiloa o le uaea tipi o le a faateleina i le faateleina o le substrate tele, lea e le talafeagai i lemea fa'apipi'i carbide silikonitagata gaosi oloa e ausia le faʻaititia o tau ma le faʻaleleia lelei. I le faagasologa o le tipiina8-inisi silikoni carbide mea'ai, o le foliga o luga o le substrate maua mai le tipi uaea e le lelei, ma o uiga numera e pei o le WARP ma le BOW e le lelei.
O le tipiina o se laasaga autu i le gaosiga o mea'ai semiconductor. O lo'o taumafai pea le alamanuia i auala fou e tipi ai, e pei o le tipiina o uaea taimane ma le tapeina o le laser. Leisa striping tekinolosi ua matua sailia talu ai nei. O le faʻaofiina o lenei tekinolosi faʻaititia le gau gau ma faʻaleleia le tipiina lelei mai le mataupu faʻapitoa. O le vaifofo leisa leisa e maualuga manaoga mo le tulaga o masini ma e manaomia thinning tekinolosi e galulue faatasi ma ia, lea e ogatasi ma le lumanai atinae taitaiga o le silicon carbide substrate processing. Ole fua ole fasi uaea sima masani ole 1.5-1.6. O le fa'aofiina o tekonolosi fa'a'ese'ese e mafai ona fa'atuputeleina le fua o fasi pepa i le tusa ma le 2.0 (silasila i masini DISCO). I le lumana'i, a'o fa'atuputeleina le fa'atupuina o le fa'atekonolosi leisa, e mafai ona fa'aleleia atili le fuaina o fasi pepa; i le taimi lava e tasi, e mafai foi ona faʻaleleia atili le faʻaleleia atili o le faʻaogaina o le slicing. E tusa ai ma suʻesuʻega maketi, o le taʻitaʻi o pisinisi DISCO e tipiina se fasi i le tusa o le 10-15 minute, lea e sili atu le lelei nai lo le taimi nei o loʻo tipiina le 60 minute i le fasi.
O laasaga fa'agasologa o le tipiina o le uaea masani o mea'ai carbide silicon: o le tipiina o le uaea-o le olo lelei-o le fa'aiila lelei ma le fa'aiila lelei. A maeʻa le faʻaogaina o le laser e sui ai le tipiina o le uaea, o le faʻaogaina o le faʻaogaina e faʻaaogaina e sui ai le faʻagasologa o le olo, lea e faʻaitiitia ai le leiloa o fasi fasi pepa ma faʻaleleia le lelei o le gaosiga. O le faagasologa o le tapeina o le leisa o le tipiina, oloina ma le fa'aiila o substrates carbide silicon ua vaevaeina i ni laasaga se tolu: su'esu'eina o luga o le laser-fa'a'ese'ese o mea eleelea-fa'ama'ape'apeina: fa'apipi'i mata leisa o le fa'aaogaina lea o pulusulu laser ultrafast e fa'agaoioia ai luga o le ingot e fausia ai se suiga ua suia. apa i totonu o le ingot; o le fa'a'ese'esega o mea'ai o le tu'u'ese'ese lea o le mea i luga a'e o le fa'ailoga ua suia mai le ingot e ala i metotia fa'aletino; ingot flattening o le aveese lea o le mea ua suia i luga o le pito i luga o le ingot ina ia mautinoa le mafolafola o le pito i luga.
Silicon carbide leisa faiga tafiesea
2. Fa'ava-o-malo aga'i i luma i leisa leisa faatekinolosi ma alamanuia auai kamupani
O le fa'agasologa o le tapeina o le laser na fa'aaogaina muamua e kamupani mai fafo: I le 2016, na fa'atupuina ai e le DISCO a Iapani se fa'atekonolosi fa'apipi'i leisa fou KABRA, lea e fausia ai se vaega vavae'ese ma tu'u'ese'ese ai wafers i se loloto fa'apitoa e ala i le fa'aauauina pea o le fa'avevelaina o le ingot i le laser, lea e mafai ona fa'aoga mo le tele o mea. ituaiga o SiC ingots. Ia Novema 2018, na maua ai e Infineon Technologies le Siltectra GmbH, o se faʻaputuina o meaʻai, mo le 124 miliona Euro. O le vaega mulimuli na atiina ae le Cold Split process, lea e faʻaogaina ai tekinolosi leisa pateni e faʻamalamalama ai le vaeluaga o le vaeluaga, ofuina o mea faʻapitoa polymer, faʻatonuina le faʻamafanafanaina o le faʻaosoina o le atuatuvale, saʻo le vaeluaina o mea, ma olo ma mama e ausia ai le tipiina.
I tausaga talu ai nei, o nisi o kamupani i totonu o le atunuu ua ulufale atu foi i le laser stripping meafaigaluega alamanuia: o kamupani autu o Han's Laser, Delong Laser, West Lake Instrument, Universal Intelligence, China Electronics Technology Group Corporation ma le Institute of Semiconductors o le Chinese Academy of Sciences. Faatasi ai ma i latou, o kamupani lisi Han's Laser ma Delong Laser ua leva ona i ai i le faatulagaga, ma o a latou oloa o loʻo faʻamaonia e tagata faʻatau, ae o loʻo i ai le tele o laina oloa a le kamupani, ma o meafaigaluega faʻapipiʻi leisa e naʻo se tasi o latou pisinisi. O oloa a fetu fa'aa'e mai e pei o le West Lake Instrument ua ausia fa'atonuga aloa'ia; Universal Intelligence, China Electronics Technology Group Corporation 2, le Institute of Semiconductors of the Chinese Academy of Sciences ma isi kamupani ua faʻasaʻoina foi le alualu i luma o meafaigaluega.
3. Aveta'avale mafua'aga mo le atina'eina o leisa fa'agata tekinolosi ma le pao o le fa'alauiloaina o maketi
O le faʻaititia o le tau o le 6-inisi silicon carbide substrates e faʻaosoina ai le atinaʻeina o le laser stripping technology: I le taimi nei, o le tau o le 6-inch silicon carbide substrates ua pa'ū i lalo ifo o le 4,000 yuan / fasi, ua latalata i le tau o nisi o gaosiga. O le fa'agasologa o le tapeina o le leisa e maualuga lona fua fa'atatau ma le malosi o tupe maua, lea e fa'atupuina ai le fa'atuputeleina o le fa'aogaina o tekinolosi fa'alavalava.
O le manifinifi o le 8-inisi silicon carbide substrates e faʻaosoina ai le atinaʻeina o le laser striping technology: O le mafiafia o le 8-inisi silicon carbide substrates o loʻo i ai nei i le 500um, ma o loʻo atinaʻe agai i le mafiafia o le 350um. E le aoga le faiga o le tipiina o le uaea i le 8-inisi silicon carbide processing (e le lelei le pito i luga), ma o le BOW ma le WARP ua matua leaga lava. O le tapeina o le laser e manatu o se tekinolosi fa'agaioiga talafeagai mo le 350um silicon carbide substrate processing, lea e fa'atupuina ai le fa'aosoina o le fa'aogaina o tekinolosi fa'alava.
Fa'amoemoega maketi: SiC substrate laser stripping meafaigaluega aoga mai le fa'alauteleina o le 8-inisi SiC ma le fa'aitiitiga tau o le 6-inisi SiC. O lo'o latalata mai le tulaga taua o le alamanuia o lo'o iai nei, ma o le a fa'atelevaveina le atina'eina o le alamanuia.
Taimi meli: Iul-08-2024