Fa'aoga ma su'esu'ega alualu i luma ole SiC fa'apipi'i ile carbon/carbon thermal field material mo monocrystalline silicon-2

1 Fa'aoga ma su'esu'ega aga'i i luma ole fa'apipi'i carbide silicon i mea fa'amea vevela kaponi

1.1 Fa'aoga ma su'esu'ega alualu i luma i sauniuniga fa'atau

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I le fanua vevela tioata tasi, o lekaponi/carbon cruciblee masani ona faʻaaogaina e avea o se vaʻa amo mo mea silikoni ma o loʻo faʻafesoʻotaʻi ma leipu quartz, e pei ona faʻaalia i le Ata 2. O le vevela galue o le carbon / carbon crucible e tusa ma le 1450 ℃, lea e aʻafia i le faʻaluaina o le paʻu o le silicon solid (silicon dioxide) ma le ausa silicon, ma mulimuli ane e manifinifi le paʻu pe o loʻo i ai se mama mama, e mafua ai le toilalo o le faʻamau.

Sa saunia se ipu fa'apipi'i fa'apipi'i kaponi/carbon composite u'umea e ala i le fa'aogaina o le ausa fa'ama'i ma le tali i totonu. O le faʻapipiʻi faʻapipiʻi sa aofia ai le faʻapipiʻi carbide silicon (100 ~ 300μm), faʻapipiʻiina o le silicon (10 ~ 20μm) ma le faʻapipiʻiina o le nitride silicon (50 ~ 100μm), lea e mafai ona faʻafefe lelei ai le pala o le ausa o le silicon i luga o le pito i totonu o le carbon / carbon composite crucible. I le faagasologa o le gaosiga, o le leiloa o le faʻapipiʻiina o le carbon / carbon composite crucible o le 0.04 mm i le ogaumu, ma o le ola tautua e mafai ona oʻo atu i le 180 taimi ogaumu.

Na fa'aogaina e le au su'esu'e se metotia fa'a-kemikolo e fa'atupu ai se u'amea fa'apipi'i kasa silicon carbide i luga o le fa'aputuga o le carbon/carbon composite crucible i lalo o nisi tulaga o le vevela ma le puipuiga o le kasa va'ava'a, fa'aaoga le silicon dioxide ma le silicon metal e avea ma mea mata i totonu o le ogaumu sintering maualuga. O faʻaiʻuga o loʻo faʻaalia ai o le maualuga o le vevela o togafitiga e le gata ina faʻaleleia ai le mama ma le malosi o le sic coating, ae faʻaleleia atili ai le faʻaogaina o le faʻaogaina o luga o le carbon / carbon composite, ma puipuia ai le pala o le pito i luga o le paʻu e SiO vapor ma atoma okesene volatile i le ogaumu silicon monocrystal. O le ola tautua o le u'amea e si'itia i le 20% pe a fa'atusatusa i le u'amea e aunoa ma se pa'u sic.

1.2 Fa'aoga ma su'esu'ega alualu i luma ile fa'agaau taiala tafe

O lo'o tu i luga a'e o le ipu fa'ata'oto (e pei ona fa'aalia i le Ata 1). I le faagasologa o le tosoina o tioata, o le eseesega o le vevela i le va o totonu ma fafo atu o le fanua e tele, aemaise lava le pito i lalo e sili ona latalata i le mea faʻafefete uʻamea, o le vevela e sili ona maualuga, ma o le pala e ala i le ausa silicon e sili ona ogaoga.

Na faia e le au suʻesuʻe se faiga faigofie ma le lelei o le faʻamaʻiina o le faʻamaʻiina o le taʻiala faʻapipiʻi faʻamaʻi faʻamaʻi faʻamaʻi ma auala sauniuni. Muamua, o se vaega o le silicon carbide whisker sa i-situ tupu aʻe i luga o le matrix o le faagaau taiala, ona saunia ai lea o se lapisi silicon carbide pito i fafo na saunia, ina ia faia se SiCw layer suiga i le va o le matrix ma le mafiafia silicon carbide layer surface, e pei ona faaalia i le Ata 3. O le coefficient o le faalauteleina vevela i le va o le matrix ma le silicon. E mafai ona fa'aitiitia lelei le mamafa o le vevela e mafua mai i le le fetaui o le fa'alauteleina o le vevela.

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O le auʻiliʻiliga o loʻo faʻaalia ai faʻatasi ai ma le faʻateleina o mea o loʻo i totonu o le SiCw, o le tele ma le numera o taʻe i totonu o le ufiufi faʻaitiitia. A maeʻa le 10h oxidation i le 1100 ℃ ea, o le fua paʻu o le mamafa o le faʻataʻitaʻiga faʻapipiʻi e naʻo le 0.87% ~ 8.87%, ma o le faʻamaʻiina o le faʻamaʻiina ma le teteʻe o le vevela o le paʻu carbide silicon ua faʻaleleia atili. O le faagasologa atoa o sauniuniga e faʻamaeʻaina faʻaauau e ala i le tuʻuina atu o ausa vailaʻau, o le sauniuniga o le carbide silicon coating e matua faʻafaigofieina, ma faʻamalosia le faʻatinoina o le pusi atoa.

Na fautuaina e le au suʻesuʻe se auala e faʻamalosia ai matrix ma faʻapipiʻi luga ole faʻalava taiala mo le czohr monocrystal silicon. O le slurry silicon carbide na faʻapipiʻiina tutusa i luga o le pito i luga o le graphite guide tube ma le mafiafia o le ufiufi o le 30 ~ 50 μm i le pulumu pulumu poʻo le faʻapipiʻiina o auala faʻapipiʻi, ona tuʻu lea i totonu o se ogaumu vevela maualuga mo le tali atu i totonu, o le vevela o le tali o le 1850 ~ 2300 ℃, ma le faʻasaoina o le vevela o le 2 ~ 66h. O le SiC pito i fafo e mafai ona faʻaaogaina i totonu o se ogaumu tuputupu aʻe tioata e 24 i totonu (60.96 cm), ma o le vevela o le faʻaaogaina o le 1500 ℃, ma e maua ai e leai se taʻe ma paʻu paʻu i luga o le pito o le taʻiala taʻiala graphite pe a uma le 1500h.

1.3 Fa'aoga ma su'esu'ega aga'i i luma ile fa'alava fa'alava

I le avea ai o se tasi o vaega autu o le monocrystalline silicon thermal field system, o le insulation cylinder e masani ona faʻaaogaina e faʻaitiitia ai le vevela ma pulea le vevela o le siosiomaga vevela. I le avea ai o se vaega lagolago o le puipui puipui totonu o le ogaumu tioata tasi, o le ausa o le silicon corrosion e tau atu i le pa'u ma le ta'e o le oloa, lea e iu ai ina toilalo oloa.

Ina ia faʻaleleia atili le faʻafefeteina o le ausa o le C / C-sic, na tuʻuina e le au suʻesuʻe le C / C-sic tuʻufaʻatasia faʻapipiʻi faʻapipiʻi oloa i totonu o le ogaumu faʻafefe vailaʻau, ma saunia le ufiufi carbide silikoni mafiafia i luga o le C / C-sic tuʻufaʻatasia faʻapipiʻi faʻapipiʻi faʻauʻu oloa faʻagasologa kemikolo. O faʻaiʻuga o loʻo faʻaalia ai, O le faagasologa e mafai ona taofia lelei le pala o le carbon fiber i le totonugalemu o le C / C-sic composite e ala i le ausa silicon, ma o le faʻafefeteina o le ausa silicon e faʻateleina i le 5 i le 10 taimi faʻatusatusa i le carbon / carbon composite, ma le ola tautua o le insulation cylinder ma le saogalemu o le siosiomaga vevela e faʻaleleia atili.

2. Fa'ai'uga ma fa'amoemoega

Silicon carbide ufiufie sili atu ma sili atu ona faʻaaogaina i le carbon / carbon thermal material field ona o lona faʻamaʻiina lelei o le faʻamaʻiina i le vevela maualuga. Faatasi ai ma le faateleina o le tele o carbon / carbon mea vevela fanua faʻaaogaina i le gaosiga o le silicon monocrystalline, pe faʻafefea ona faʻaleleia le tutusa o le faʻapipiʻiina o le carbide silicon i luga o le faʻaogaina o mea vevela ma faʻaleleia le ola o le carbon / carbon thermal material material ua avea ma faʻafitauli faanatinati e foia.

I le isi itu, faʻatasi ai ma le atinaʻeina o le monocrystalline silicon industry, o loʻo faʻateleina foi le manaʻomia mo le maualuga o le carbon / carbon thermal material field, ma SiC nanofibers o loʻo tupu aʻe foi i luga o filo carbon i totonu i le taimi o le tali. Ole tele ole ablation ma linear ablation rates o C/C-ZRC ma C/C-sic ZrC composite saunia e suʻesuʻega e -0.32 mg/s ma le 2.57 μm/s, faasologa. Ole fua ole tele ma laina ole C/ C-sic -ZrC composites e -0.24mg/s ma le 1.66 μm/s, i le faasologa. O le C/C-ZRC composites ma SiC nanofibers e sili atu le lelei o mea faʻaoga. Mulimuli ane, o aʻafiaga o punaoa carbon eseese i luga o le tuputupu aʻe o SiC nanofibers ma le faʻaogaina o SiC nanofibers faʻamalosia le faʻaogaina o mea faʻapitoa o C / C-ZRC composites o le a suʻesuʻeina.

Sa saunia se ipu fa'apipi'i fa'apipi'i kaponi/carbon composite u'umea e ala i le fa'aogaina o le ausa fa'ama'i ma le tali i totonu. O le faʻapipiʻi faʻapipiʻi sa aofia ai le faʻapipiʻi carbide silicon (100 ~ 300μm), faʻapipiʻiina o le silicon (10 ~ 20μm) ma le faʻapipiʻiina o le nitride silicon (50 ~ 100μm), lea e mafai ona faʻafefe lelei ai le pala o le ausa o le silicon i luga o le pito i totonu o le carbon / carbon composite crucible. I le faagasologa o le gaosiga, o le leiloa o le faʻapipiʻiina o le carbon / carbon composite crucible o le 0.04 mm i le ogaumu, ma o le ola tautua e mafai ona oʻo atu i le 180 taimi ogaumu.


Taimi meli: Feb-22-2024
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