O le tu'uina o ata manifinifi o le fa'aofuina lea o se vaega o ata tifaga i luga o le mea autu autu o le semiconductor. O lenei ata tifaga e mafai ona faia i mea eseese, e pei o le insulating compound silicon dioxide, semiconductor polysilicon, u'amea u'amea, ma isi mea. O meafaigaluega e fa'aaogaina mo le ufiufi e ta'ua o mea manifinifi fa'ameamea.
Mai le vaʻaiga o le gaosiga o chip semiconductor, o loʻo tu i le pito i luma.
E mafai ona vaevaeina le faagasologa o le tapenaina o ata manifinifi i ni vaega se lua e tusa ai ma le faiga o le faiga o ata: o le fa'aputuina o le ausa fa'aletino (PVD) ma le fa'aogaina o le ausa vaila'au.(CVD), e aofia ai mea faigaluega fa'agasologa o le CVD e fa'atatau mo se vaega maualuga.
Deposition ausa faaletino (PVD) e faasino i le vaporization o le i luga o le mea puna puna ma le deposition i luga o le pito i luga o le substrate e ala i le maualalo-oomi gas / plasma, e aofia ai le evaporation, sputtering, ion beam, ma isi;
Fa'afuga ausa vaila'au (CVD) e fa'atatau i le fa'agasologa o le tu'uina o se ata mautu i luga o le fa'ama'i fa'ama'i silikoni e ala i se fa'a'avega fa'ama'i o le paluga kesi. E tusa ai ma tulaga faʻaalia (omiga, precursor), e vaevaeina i le mamafa o le eaCVD(APCVD), maualalo le mamafaCVD(LPCVD), plasma fa'aleleia CVD (PECVD), maualuga plasma CVD (HDPCVD) ma atomic layer deposition (ALD).
LPCVD: O le LPCVD e sili atu le mafai ona faʻapipiʻiina, lelei le tuʻufaʻatasia ma le faʻatonutonuina o le fausaga, maualuga le tuʻuina atu ma le gaosiga, ma faʻaitiitia ai le puna o le filogia. Faʻalagolago i mea faʻavevela e avea o se mea vevela e faʻamautu ai le tali, pulea o le vevela ma le mamafa o le kesi e taua tele. Fa'aaoga lautele i le Poly layer gaosiga o sela TopCon.
PECVD: PECVD faʻalagolago i le plasma faʻatupuina e ala i le leitio faʻapipiʻiina e maua ai le maualalo o le vevela (itiiti ifo i le 450 tikeri) o le faʻaogaina o ata manifinifi. O le tu'u maualalo o le vevela o lona aoga sili lea, e fa'asaoina ai le malosi, fa'aitiitia le tau, fa'ateleina le gaosiga gafatia, ma fa'aitiitia ai le pala i le olaga atoa o le au ta'avale la'ititi i fa'ama'i sikoni e mafua mai i le maualuga o le vevela. E mafai ona faʻaoga i faʻagasologa o sela eseese e pei ole PERC, TOPCON, ma le HJT.
ALD: Lelei ata tifaga tutusa, mafiafia ma leai ni pu, tulaga lelei e ufiufi ai laasaga, e mafai ona faia i le maualalo o le vevela (o le potu vevela-400 ℃), e mafai ona faigofie ma saʻo le pulea o le mafiafia o ata, e faʻaaoga lautele i substrates o foliga eseese, ma e le manaʻomia ona pulea le tutusa o le tafega o le reactant. Ae o le le lelei o le saoasaoa o le fausiaina o ata e tuai. E pei o le zinc sulfide (ZnS) fa'aulu moli fa'aaoga e gaosia ai ni insulators nanostructured (Al2O3/TiO2) ma ata manifinifi electroluminescent fa'aaliga (TFEL).
Atomic layer deposition (ALD) o se faiga faʻapipiʻi gaogao lea e fausia ai se ata manifinifi i luga o le faʻapipiʻiina o le substrate ma lea faʻavae i foliga o se tasi atomic layer. I le amataga o le 1974, na atiaʻe ai e Tuomo Suntola le fomaʻi o meafaitino Finnish lenei tekinolosi ma manumalo ai i le 1 miliona Euro Meleniuma Tekonolosi Award. O tekinolosi ALD na fa'aaogaina muamua mo fa'aaliga fa'aeletise fa'amafolafola, ae e le'i fa'aaogaina lautele. E leʻi oʻo i le amataga o le 21st seneturi na amata ai ona faʻaaogaina tekinolosi a le ALD e le semiconductor industry. E ala i le gaosiga o mea e sili atu ona manifinifi maualuga-dielectric e suitulaga ai le silicon oxide, na manuia ai le fofoina o le faafitauli o loʻo i ai nei e mafua mai i le faʻaitiitia o le lautele o laina o transistors aafiaga o le fanua, ma faʻaosofia ai le Tulafono a Moore e faʻalautele atili i laʻititi laina lautele. Na ta'ua e Dr. Tuomo Suntola i se tasi taimi e mafai e le ALD ona matua fa'ateleina le tu'ufa'atasiga o vaega.
O faʻamatalaga a le lautele o loʻo faʻaalia ai o tekinolosi ALD na fatuina e Dr. Tuomo Suntola o PICOSUN i Finelani i le 1974 ma sa faʻatautaia i fafo, e pei o le ata maualuga dielectric i le 45/32 nanometer chip na fausia e Intel. I Saina, na faʻalauiloaina e loʻu atunuu le tekonolosi ALD i le silia ma le 30 tausaga mulimuli ane nai lo atunuu i fafo. Ia Oketopa 2010, na talimalo ai le PICOSUN i Finelani ma le Iunivesite o Fudan i le ulua'i fonotaga fa'alea'oa'oga a le ALD i totonu o le atunu'u, fa'ailoa atu ai le tekonolosi ALD i Saina mo le taimi muamua.
Fa'atusatusa i le tu'uina atu o ausa fa'ama'i masani (CVD) ma le teuina o le ausa faaletino (PVD), o le lelei o le ALD e sili ona lelei le tolu-dimensional conformality, tele-vaega faʻataʻitaʻiga tutusa, ma saʻo le mafiafia pulea, lea e talafeagai mo le tuputupu ae ultra-manifinifi ata i luga o foliga lavelave luga ma fausaga tulaga maualuga.
— Punaoa o faamatalaga: Micro-nano faiga fa'avae a le Iunivesite o Tsinghua—
I le vaitau o le post-Moore, o le lavelave ma le faʻagasologa o le tele o le gaosiga o wafer ua matua faʻaleleia. Faʻaaogaina o meataalo faʻataʻitaʻiga e fai ma faʻataʻitaʻiga, faʻatasi ai ma le faʻateleina o le numera o laina gaosiga ma faʻagasologa i lalo ole 45nm, aemaise lava laina gaosiga ma faʻagasologa o le 28nm ma lalo ifo, o manaʻoga mo le mafiafia o le ufiufi ma le faʻatonuga saʻo e maualuga atu. A maeʻa le faʻaofiina o le tele o tekinolosi faʻaalia, o le numera o laasaga o le faagasologa o le ALD ma meafaigaluega e manaʻomia ua matua faʻateleina; i le fanua o meataalo manatua, o le faagasologa o le gaosiga autu na tupu mai i le 2D NAND i le 3D NAND structure, o le numera o totonu o loʻo faʻaauau pea ona faʻateleina, ma o vaega ua faasolosolo malie ona tuʻuina atu le maualuga, maualuga le maualuga o fausaga, ma le taua taua. o le ALD ua amata ona tula'i mai. Mai le vaʻaiga o le atinaʻeina o semiconductor i le lumanaʻi, o le ALD tekinolosi o le a faʻateleina le taua i le post-Moore era.
Mo se fa'ata'ita'iga, o le ALD e na'o le pau lea o le tekonolosi fa'aputu e mafai ona fa'amalieina le fa'asalalauga ma le fa'atinoga o ata tifaga o fausaga fa'aputu 3D lavelave (e pei o le 3D-NAND). E mafai ona iloa lelei lenei mea i le ata o loʻo i lalo. O le ata na teuina i le CVD A (lanu moana) e le ufiufi atoa le vaega pito i lalo ole fausaga; e tusa lava pe faia nisi fetuunaiga o le faagasologa i le CVD (CVD B) e ausia ai le faʻasalalauga, o le faʻatinoina o ata ma le vailaʻau o le vaega pito i lalo e matua leaga lava (vaega paʻepaʻe i le ata); i se faʻatusatusaga, o le faʻaogaina o le tekinolosi ALD e faʻaalia ai ata tifaga atoatoa, ma tulaga maualuga ma tulaga tutusa ata tifaga e ausia i vaega uma o le fausaga.
—-Ata Lelei o tekinolosi ALD pe a faatusatusa i le CVD (Source: ASM)—-
E ui lava o loʻo nofoia pea e le CVD le tele o sea maketi i se taimi puʻupuʻu, ua avea le ALD ma se tasi o vaega sili ona vave faʻatupulaia o le maketi o meafaigaluega faʻapipiʻi. I lenei maketi ALD ma le tele o le tuputupu aʻe gafatia ma se matafaioi taua i le gaosiga o chip, ASM o se kamupani taʻutaʻua i le fanua o meafaigaluega ALD.
Taimi meli: Iuni-12-2024