SILIKONSKE PLOŠČE
od sitronic
Aoblatje rezina silicija, debela približno 1 milimeter, ki ima izjemno ravno površino zaradi tehnično zelo zahtevnih postopkov. Kasnejša uporaba določa, kateri postopek gojenja kristalov je treba uporabiti. V postopku Czochralskega se na primer polikristalni silicij stopi in v staljeni silicij potopi kot svinčnik tanek zarodni kristal. Zarodni kristal se nato zavrti in počasi potegne navzgor. Rezultat je zelo težek kolos, monokristal. Možno je izbrati električne karakteristike monokristala z dodajanjem majhnih enot dopantov visoke čistosti. Kristale dopiramo v skladu s specifikacijami naročnika, nato pa jih poliramo in narežemo na rezine. Po različnih dodatnih proizvodnih korakih kupec prejme določene napolitanke v posebni embalaži, ki mu omogoča uporabooblattakoj v svoji proizvodni liniji.
Danes je velik del silicijevih monokristalov vzgojen po postopku Czochralski, ki vključuje taljenje polikristalnega silicija visoke čistosti v lončku s hiperčistim kremenom in dodajanje dopanta (običajno B, P, As, Sb). Tanek, monokristalni zarodni kristal se potopi v staljeni silicij. Iz tega tankega kristala se nato razvije velik kristal CZ. Natančna regulacija temperature in pretoka staljenega silicija, vrtenja kristala in lončka ter hitrosti vlečenja kristala povzroči izjemno kakovosten monokristalni silicijev ingot.
Čas objave: jun-03-2021