Monokristalna 8-palčna silicijeva rezina podjetja VET Energy je vodilna rešitev v industriji za izdelavo polprevodnikov in elektronskih naprav. Z vrhunsko čistostjo in kristalno strukturo so te rezine idealne za visoko zmogljive aplikacije v fotovoltaični in polprevodniški industriji. VET Energy zagotavlja, da je vsaka rezina natančno obdelana, da ustreza najvišjim standardom, kar zagotavlja odlično enakomernost in gladko površino, ki sta bistvena za napredno proizvodnjo elektronskih naprav.
Te monokristalne 8-palčne silicijeve rezine so združljive z vrsto materialov, vključno s Si rezino, SiC substratom, SOI rezino, SiN substratom, in so še posebej primerne za rast Epi rezin. Zaradi njihove vrhunske toplotne prevodnosti in električnih lastnosti so zanesljiva izbira za visoko učinkovito proizvodnjo. Poleg tega so te rezine zasnovane tako, da brezhibno delujejo z materiali, kot sta galijev oksid Ga2O3 in AlN Wafer, ter ponujajo široko paleto aplikacij od močnostne elektronike do RF naprav. Rezine se prav tako popolnoma prilegajo kasetnim sistemom za avtomatizirana proizvodna okolja velikega obsega.
Linija izdelkov VET Energy ni omejena na silicijeve rezine. Ponujamo tudi široko paleto materialov za polprevodniške substrate, vključno s substratom SiC, rezinami SOI, substratom SiN, rezinami Epi itd., kot tudi novimi polprevodniškimi materiali s široko pasovno vrzeljo, kot sta galijev oksid Ga2O3 in rezine AlN. Ti izdelki lahko zadovoljijo potrebe različnih strank v energetski elektroniki, radijskih frekvencah, senzorjih in drugih področjih.
VET Energy strankam nudi prilagojene rešitve za rezine. Prilagodimo lahko rezine z različno upornostjo, vsebnostjo kisika, debelino itd. glede na posebne potrebe strank. Poleg tega nudimo tudi strokovno tehnično podporo in poprodajne storitve, ki strankam pomagajo rešiti različne težave, ki nastanejo med proizvodnim procesom.
SPECIFIKACIJE VAFELJEV
*n-Pm=n-tip Pm-Razred,n-Ps=n-tip Ps-Razred,Sl=pol-izolacijski
Postavka | 8-palčni | 6-palčni | 4-palčni | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-Absolutna vrednost | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Deformacija (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2 μm | ||||
Wafer Edge | Beveliranje |
POVRŠINSKA OBRADA
*n-Pm=n-tip Pm-Razred,n-Ps=n-tip Ps-Razred,Sl=pol-izolacijski
Postavka | 8-palčni | 6-palčni | 4-palčni | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Površinska obdelava | Dvostransko optično poliranje, Si-Face CMP | ||||
Površinska hrapavost | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Robni čipi | Ni dovoljeno (dolžina in širina≥0,5 mm) | ||||
Zamiki | Ni dovoljeno | ||||
Praske (Si-Face) | Količina≤5,Kumulativno | Količina≤5,Kumulativno | Količina≤5,Kumulativno | ||
Razpoke | Ni dovoljeno | ||||
Izključitev robov | 3 mm |