6-palčna polizolacijska SiC rezina podjetja VET Energy je napredna rešitev za aplikacije z visoko močjo in visoko frekvenco, ki ponuja vrhunsko toplotno prevodnost in električno izolacijo. Te polizolacijske rezine so bistvenega pomena pri razvoju naprav, kot so RF ojačevalniki, vklopna stikala in druge visokonapetostne komponente. VET Energy zagotavlja dosledno kakovost in zmogljivost, zaradi česar so te rezine idealne za široko paleto postopkov izdelave polprevodnikov.
Poleg izjemnih izolacijskih lastnosti so te SiC rezine združljive z različnimi materiali, vključno s Si Wafer, SiC substratom, SOI Wafer, SiN substratom in Epi Wafer, zaradi česar so vsestranske za različne vrste proizvodnih procesov. Poleg tega je mogoče v kombinaciji s temi rezinami SiC uporabiti napredne materiale, kot sta galijev oksid Ga2O3 in rezine AlN, kar zagotavlja še večjo prilagodljivost pri elektronskih napravah visoke moči. Plošče so zasnovane za brezhibno integracijo s sistemi za upravljanje, ki so industrijski standardi, kot so kasetni sistemi, kar zagotavlja enostavno uporabo v nastavitvah masovne proizvodnje.
VET Energy ponuja obsežen portfelj polprevodniških substratov, vključno s Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 in AlN Wafer. Naša raznolika linija izdelkov skrbi za potrebe različnih elektronskih aplikacij, od močnostne elektronike do RF in optoelektronike.
6-palčna polizolacijska SiC rezina ponuja številne prednosti:
Visoka prebojna napetost: Širok pasovni razmik SiC-ja omogoča višje prebojne napetosti, kar omogoča kompaktnejše in učinkovitejše napajalne naprave.
Visokotemperaturno delovanje: SiC-jeva odlična toplotna prevodnost omogoča delovanje pri višjih temperaturah, kar izboljša zanesljivost naprave.
Nizek upor pri vklopu: Naprave iz SiC imajo nižji upor pri vklopu, kar zmanjšuje izgube moči in izboljšuje energetsko učinkovitost.
VET Energy ponuja prilagodljive rezine SiC, ki ustrezajo vašim posebnim zahtevam, vključno z različnimi debelinami, stopnjami dopinga in površinsko obdelavo. Naša strokovna ekipa nudi tehnično podporo in poprodajne storitve, ki zagotavljajo vaš uspeh.
SPECIFIKACIJE OBLATOV
*n-Pm=n-tip Pm-razred,n-Ps=n-tip Ps-razred,Sl=polizolacijski
Postavka | 8-palčni | 6-palčni | 4-palčni | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-Absolutna vrednost | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Deformacija (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2 μm | ||||
Wafer Edge | Beveliranje |
POVRŠINSKA OBRADA
*n-Pm=n-tip Pm-razred,n-Ps=n-tip Ps-razred,Sl=polizolacijski
Postavka | 8-palčni | 6-palčni | 4-palčni | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Površinska obdelava | Dvostransko optično poliranje, Si-Face CMP | ||||
Površinska hrapavost | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Robni čipi | Ni dovoljeno (dolžina in širina≥0,5 mm) | ||||
Zamiki | Ni dovoljeno | ||||
Praske (Si-Face) | Kol.≤5,Kumulativno | Kol.≤5,Kumulativno | Kol.≤5,Kumulativno | ||
Razpoke | Ni dovoljeno | ||||
Izključitev robov | 3 mm |