සිලිකන් වේෆර්
සිට්රොනික් වලින්
Aවේෆර්තාක්‍ෂණිකව ඉතා ඉල්ලුමක් ඇති ක්‍රියා පටිපාටිවලට ස්තූතිවන්ත වන පරිදි අතිශය පැතලි මතුපිටක් ඇති දළ වශයෙන් මිලිමීටර 1 ක ඝනකම සිලිකන් පෙත්තකි. පසුකාලීන භාවිතය මගින් කුමන ස්ඵටික වැඩීමේ ක්‍රියාවලිය යෙදිය යුතුද යන්න තීරණය කරයි. උදාහරණයක් ලෙස, Czochralski ක්‍රියාවලියේදී, බහු ස්ඵටික සිලිකන් උණු කර පැන්සල් තුනී බීජ ස්ඵටිකයක් උණු කළ සිලිකන් තුළට ගිල්වනු ලැබේ. එවිට බීජ ස්ඵටිකය භ්රමණය වන අතර සෙමින් ඉහළට ඇද දමයි. ඉතා බර කොලොසස්, මොනොක්රිස්ටල්, ප්රතිඵලය. අධි සංශුද්ධතාවයේ මාත්‍රාවක කුඩා ඒකක එකතු කිරීමෙන් මොනොක්‍රිස්ටල්වල විද්‍යුත් ලක්ෂණ තෝරාගත හැක. පාරිභෝගික පිරිවිතරයන්ට අනුකූලව ස්ඵටික මාත්රණය කර පසුව ඔප දමා පෙති වලට කපා ඇත. විවිධ අතිරේක නිෂ්පාදන පියවරයන්ගෙන් පසුව, පාරිභෝගිකයාට විශේෂිත ඇසුරුම්වල නිශ්චිත වේෆර් ලැබෙනු ඇත, එය පාරිභෝගිකයාට භාවිතා කිරීමට ඉඩ සලසයි.වේෆර්වහාම එහි නිෂ්පාදන මාර්ගයේ.
අද වන විට, සිලිකන් මොනොක්රිස්ටල් වලින් විශාල කොටසක් වගා කරනු ලබන්නේ Czochralski ක්‍රියාවලියට අනුව වන අතර, අධිපරිශුද්ධ ක්වාර්ට්ස් ක්‍රූසිබල් එකක බහු ස්ඵටික අධි-පිරිසිදු සිලිකන් උණු කිරීම සහ මාත්‍රාව (සාමාන්‍යයෙන් B, P, As, Sb) එකතු කිරීම ඇතුළත් වේ. තුනී, මොනොක්රිස්ටල් බීජ ස්ඵටිකයක් උණු කළ සිලිකන් තුළට දමනු ලැබේ. එවිට මෙම තුනී ස්ඵටිකයෙන් විශාල CZ ස්ඵටිකයක් වර්ධනය වේ. උණු කළ සිලිකන් උෂ්ණත්වය සහ ප්‍රවාහය, ස්ඵටික සහ කෲසිබල් භ්රමණය මෙන්ම ස්ඵටික ඇදීමේ වේගයේ නිරවද්‍ය නියාමනය අතිශයින්ම උසස් තත්ත්වයේ මොනොක්‍රිස්ටලීන් සිලිකන් ඉන්ගෝට් එකක් බවට පත් කරයි.
පසු කාලය: ජූනි-03-2021