නිෂ්පාදන තොරතුරු සහ උපදේශන සඳහා අපගේ වෙබ් අඩවියට සාදරයෙන් පිළිගනිමු.
අපගේ වෙබ් අඩවිය:https://www.vet-china.com/
Poly සහ SiO2 කැටයම් කිරීම:
මෙයින් පසු, අතිරික්ත Poly සහ SiO2 ඉවත් කරනු ලැබේ, එනම් ඉවත් කරනු ලැබේ. මෙම අවස්ථාවේදී, දිශානුගතකැටයම් කිරීමභාවිතා වේ. කැටයම් වර්ගීකරණයේදී දිශානුගත කැටයම් සහ දිශානුගත නොවන කැටයම් ලෙස වර්ගීකරණයක් ඇත. දිශානුගත කැටයම් කිරීම යොමු කරයිකැටයම් කිරීමයම් දිශාවකට, දිශානුගත නොවන කැටයම් කිරීම දිශානුගත නොවන අතර (මම අහම්බෙන් ඕනෑවට වඩා කීවෙමි. කෙටියෙන් කිවහොත්, එය නිශ්චිත අම්ල සහ භෂ්ම හරහා යම් දිශාවකට SiO2 ඉවත් කිරීමයි). මෙම උදාහරණයේ දී, අපි SiO2 ඉවත් කිරීම සඳහා පහතට දිශානුගත කැටයම් භාවිතා කරන අතර, එය මේ ආකාරයෙන් සිදු වේ.
අවසාන වශයෙන්, photoresist ඉවත් කරන්න. මෙම අවස්ථාවේදී, photoresist ඉවත් කිරීමේ ක්‍රමය වන්නේ ඉහත සඳහන් කළ ආලෝක ප්‍රකිරණය හරහා සක්‍රිය කිරීම නොව, වෙනත් ක්‍රම හරහා, මන්ද අපට මේ අවස්ථාවේ නිශ්චිත ප්‍රමාණයක් අර්ථ දැක්වීමට අවශ්ය නොවන නමුත් සියලුම ප්‍රකාශනයන් ඉවත් කිරීමයි. අවසාන වශයෙන්, එය පහත රූපයේ දැක්වෙන පරිදි බවට පත්වේ.
මේ ආකාරයෙන්, අපි Poly SiO2 හි නිශ්චිත ස්ථානය රඳවා ගැනීමේ අරමුණ සාක්ෂාත් කර ගෙන ඇත.
මූලාශ්රය සහ කාණු සෑදීම:
අවසාන වශයෙන්, මූලාශ්රය සහ කාණු සෑදෙන්නේ කෙසේදැයි සලකා බලමු. ඒ ගැන පසුගිය කලාපයේදී කතා කළ බව කාටත් තාම මතකයි. මූලාශ්රය සහ කාණු එකම වර්ගයේ මූලද්රව්ය සමඟ අයන-ස්ථාපනය කර ඇත. මෙම අවස්ථාවේදී, අපට N වර්ගය බද්ධ කිරීමට අවශ්ය මූලාශ්‍ර/කාණු ප්‍රදේශය විවෘත කිරීමට photoresist භාවිතා කළ හැක. අපි උදාහරණයක් ලෙස NMOS පමණක් ගන්නා බැවින්, පහත රූපයේ දැක්වෙන පරිදි ඉහත රූපයේ සියලුම කොටස් විවෘත වේ.
photoresist මගින් ආවරණය කරන ලද කොටස බද්ධ කළ නොහැකි බැවින් (ආලෝකය අවහිර කර ඇත), N-වර්ගයේ මූලද්රව්ය අවශ්ය NMOS මත පමණක් බද්ධ කරනු ලැබේ. පොලියට යටින් ඇති උපස්ථරය poly සහ SiO2 මගින් අවහිර කර ඇති බැවින්, එය බද්ධ නොකරනු ඇත, එබැවින් එය මෙසේ වේ.
මෙම අවස්ථාවේදී, සරල MOS ආකෘතියක් සාදා ඇත. න්‍යායට අනුව, ප්‍රභව, කාණු, පොලි සහ උපස්ථරයට වෝල්ටීයතාවයක් එකතු කළහොත්, මෙම MOS ක්‍රියා කළ හැකිය, නමුත් අපට ප්‍රෝබ් එකක් ගෙන ප්‍රභවයට කෙලින්ම වෝල්ටීයතාවයක් එක් කර කාණු කළ නොහැක. මෙම අවස්ථාවේදී, MOS රැහැන්ගත කිරීම අවශ්ය වේ, එනම්, මෙම MOS මත, බොහෝ MOS එකට සම්බන්ධ කිරීමට වයර් සම්බන්ධ කරන්න. විදුලි රැහැන් ඇදීමේ ක්රියාවලිය දෙස බලමු.
VIA සෑදීම:
පළමු පියවර වන්නේ පහත රූපයේ දැක්වෙන පරිදි සම්පූර්ණ MOS SiO2 ස්ථරයකින් ආවරණය කිරීමයි.
ඇත්ත වශයෙන්ම, මෙම SiO2 නිෂ්පාදනය කරන්නේ CVD විසිනි, මන්ද එය ඉතා වේගවත් වන අතර කාලය ඉතිරි කරයි. පහත දැක්වෙන්නේ තවමත් photoresist තැබීමේ සහ නිරාවරණය කිරීමේ ක්රියාවලියයි. අවසානයෙන් පසු, එය මේ ආකාරයෙන් පෙනේ.
ඉන්පසු පහත රූපයේ අළු පැහැති කොටසේ පෙන්වා ඇති පරිදි SiO2 මත සිදුරක් ඇඳීමට Eching ක්‍රමය භාවිතා කරන්න. මෙම කුහරයේ ගැඹුර සෘජුවම Si මතුපිටට සම්බන්ධ වේ.
අවසාන වශයෙන්, photoresist ඉවත් කර පහත පෙනුම ලබා ගන්න.
මෙම අවස්ථාවේදී, කළ යුත්තේ මෙම කුහරය තුළ සන්නායකය පිරවීමයි. මෙම කොන්දොස්තර යනු කුමක්ද? එක් එක් සමාගම වෙනස් වේ, ඒවායින් බොහොමයක් ටංස්ටන් මිශ්ර ලෝහ වේ, එසේ නම් මෙම කුහරය පිරවිය හැක්කේ කෙසේද? PVD (භෞතික වාෂ්ප තැන්පත් කිරීම) ක්‍රමය භාවිතා කරන අතර, මූලධර්මය පහත රූපයට සමාන වේ.
ඉලක්ක ද්‍රව්‍යයට බෝම්බ හෙලීමට අධි ශක්ති ඉලෙක්ට්‍රෝන හෝ අයන භාවිතා කරන්න, එවිට කැඩුණු ඉලක්ක ද්‍රව්‍ය පරමාණු ආකාරයෙන් පතුලට වැටෙනු ඇත, එමඟින් පහත ආලේපනය සාදයි. අපි සාමාන්‍යයෙන් ප්‍රවෘත්තිවල දකින ඉලක්ක ද්‍රව්‍ය මෙහි ඉලක්ක ද්‍රව්‍ය වෙත යොමු වේ.
සිදුර පිරවීමෙන් පසු, එය මේ ආකාරයෙන් පෙනේ.
ඇත්ත වශයෙන්ම, අපි එය පුරවන විට, සිදුරේ ගැඹුරට හරියටම සමාන වන පරිදි ආලේපනයේ thickness ණකම පාලනය කළ නොහැක, එබැවින් යම් අතිරික්තයක් ඇති වනු ඇත, එබැවින් අපි CMP (රසායනික යාන්ත්‍රික ඔප දැමීම) තාක්ෂණය භාවිතා කරමු, එය ඉතා හොඳින් පෙනේ. ඉහළ මට්ටමේ, නමුත් එය ඇත්ත වශයෙන්ම ඇඹරීම, අතිරික්ත කොටස් ඉවත් කිරීම. ප්රතිඵලය මේ වගේ.
මෙම අවස්ථාවේදී, අපි හරහා ස්ථරයක් නිෂ්පාදනය අවසන් කර ඇත. ඇත්ත වශයෙන්ම, හරහා නිෂ්පාදනය ප්රධාන වශයෙන් පිටුපස ලෝහ ස්ථරයේ රැහැන් සඳහා වේ.
ලෝහ ස්ථර නිෂ්පාදනය:
ඉහත කොන්දේසි යටතේ, අපි PVD භාවිතා කරන්නේ තවත් ලෝහ තට්ටුවක් අඩු කිරීමයි. මෙම ලෝහය ප්රධාන වශයෙන් තඹ මත පදනම් වූ මිශ්ර ලෝහයකි.
එවිට නිරාවරණයෙන් සහ කැටයම් කිරීමෙන් පසු අපට අවශ්ය දේ ලැබේ. ඉන්පසු අපි අපගේ අවශ්‍යතා සපුරාලන තෙක් ගොඩගැසීම දිගටම කරගෙන යන්න.
අපි පිරිසැලසුම අඳින විට, අපි ඔබට කියන්නෙමු ලෝහ ස්ථර කීයක් සහ භාවිතා කරන ක්රියාවලිය හරහා වැඩිම වශයෙන් ගොඩ ගැසිය හැකිද, එයින් අදහස් වන්නේ එය කොපමණ ස්ථර ගණනකින් ගොඩගැසිය හැකිද යන්නයි.
අවසාන වශයෙන්, අපි මෙම ව්යුහය ලබා ගනිමු. ඉහළ පෑඩය මෙම චිපයේ පින් එක වන අතර, ඇසුරුම් කිරීමෙන් පසු, එය අපට පෙනෙන පින් එක බවට පත්වේ (ඇත්ත වශයෙන්ම, මම එය අහඹු ලෙස ඇද ගත්තෙමි, ප්‍රායෝගික වැදගත්කමක් නැත, උදාහරණයක් ලෙස).
චිපයක් සෑදීමේ සාමාන්ය ක්රියාවලිය මෙයයි. අර්ධ සන්නායක වාත්තු යන්ත්‍රවල ඇති වැදගත්ම නිරාවරණය, එචිං, අයන තැන්පත් කිරීම, උදුන නල, CVD, PVD, CMP යනාදිය පිළිබඳව අපි මෙම ගැටලුවේදී ඉගෙන ගත්තෙමු.
පසු කාලය: අගෝස්තු-23-2024