Silicon carbide ڪرسٽل ترقي جي عمل ۽ سامان ٽيڪنالاجي

1. سي سي ڪرسٽل ترقي ٽيڪنالاجي رستو

PVT (sublimation طريقو)،

HTCVD (اعلي درجه حرارت CVD)،

ايل پي اي(مائع مرحلي جو طريقو)

ٽي عام آهنسي سي ڪرسٽلترقي جا طريقا؛

صنعت ۾ سڀ کان وڌيڪ سڃاتل طريقو PVT طريقو آهي، ۽ 95 سيڪڙو کان وڌيڪ سي سي سنگل ڪرسٽل PVT طريقي سان پوکيا ويندا آهن؛

صنعتي ٿيلسي سي ڪرسٽلترقي فرنس صنعت جي مکيه وهڪرو PVT ٽيڪنالاجي رستو استعمال ڪري ٿو.

2. سي سي کرسٽل جي ترقي جو عمل

پائوڊر جي جوڙجڪ- ٻج جي ڪرسٽل علاج- ڪرسٽل ترقي- انگوٽ اينيلنگ-ويفرپروسيسنگ

3. PVT جو طريقو وڌائڻ لاءسي سي ڪرسٽل

سي سي جي خام مال کي گريفائٽ ڪرسيبل جي تري ۾ رکيل آهي، ۽ سي سي سيڊ ڪرسٽل گريفائٽ ڪرسيبل جي چوٽي تي آهي. موصليت کي ترتيب ڏيڻ سان، سي سي خام مال تي گرمي پد وڌيڪ آهي ۽ ٻج ڪرسٽل تي درجه حرارت گهٽ آهي. سي سي خام مال تيز گرمي پد تي ٺهڪي اچي ٿو ۽ گيس جي مرحلي واري مادن ۾ ضم ٿي وڃي ٿو، جيڪي گهٽ درجه حرارت سان سيڊ ڪرسٽل ڏانهن منتقل ڪيا وڃن ٿا ۽ سي سي ڪرسٽل ٺاهڻ لاءِ ڪرسٽل بڻجي وڃن ٿا. بنيادي ترقي جي عمل ۾ ٽي عمل شامل آهن: خام مال جي سڙڻ ۽ ٺهڻ، ماس منتقلي، ۽ ٻج جي ڪرسٽل تي ڪرسٽلائزيشن.

خام مال جي سڙڻ ۽ ٺهڻ:

SiC(S) = Si(g)+C(S)

2SiC(S) = Si(g)+ SiC2(g)

2SiC(S)=C(S)+SiC2(g)

وڏي پئماني تي منتقلي دوران، Si وانپ وڌيڪ رد عمل ڪندي گرافائٽ جي ڪرسيبل ڀت سان SiC2 ۽ Si2C ٺاهي ٿو:

Si(g)+2C(S) =SiC2(g)

2Si(g) +C(S)=Si2C(g)

سيڊ ڪرسٽل جي مٿاڇري تي، ٽن گئس جا مرحلا هيٺين ٻن فارمولين ذريعي وڌن ٿا ته جيئن سلڪون ڪاربائيڊ ڪرسٽل پيدا ٿين:

سي سي 2_(جي)+سي2 سي_(جي)= 3 سي سي_(s)

Si_(جي)+سي سي 2_(جي)= 2 سي سي_(س)

4. پي وي ٽي جو طريقو سي سي ڪرسٽل جي ترقي جي سامان جي ٽيڪنالاجي رستي کي وڌائڻ لاء

في الحال، انڊڪشن حرارتي PVT طريقي سان سي سي ڪرسٽل جي ترقي واري فرنس لاءِ هڪ عام ٽيڪنالاجي رستو آهي.

ڪوئل خارجي انڊڪشن حرارتي ۽ گرافائٽ مزاحمتي حرارتي ترقي جي طرف آهنسي سي ڪرسٽلترقي جون ڀتيون.

5. 8 انچ سي سي انڊڪشن حرارتي واڌ جي فرنس

(1) گرم ڪرڻgraphite crucible حرارتي عنصرمقناطيسي ميدان جي ذريعي؛ حرارتي طاقت، ڪوئلي جي پوزيشن، ۽ موصلي جي جوڙجڪ کي ترتيب ڏيڻ سان درجه حرارت جي ميدان کي منظم ڪرڻ؛

(2) graphite جي مزاحمتي حرارتي ۽ حرارتي تابڪاري جي وهڪري جي ذريعي گريفائٽ ڪرسيبل کي گرم ڪرڻ؛ گرمي پد جي فيلڊ کي ڪنٽرول ڪندي گريفائٽ هيٽر جي موجوده کي ترتيب ڏيڻ، هيٽر جي جوڙجڪ، ۽ زون موجوده ڪنٽرول؛