КАК СДЕЛАТЬ КРЕМНИЕВУЮ ПЛАСТИНУ
A вафляпредставляет собой кусочек кремния толщиной примерно 1 миллиметр, имеющий чрезвычайно плоскую поверхность благодаря очень сложным с технической точки зрения процедурам. Последующее использование определяет, какую процедуру выращивания кристаллов следует использовать. Например, в процессе Чохральского поликристаллический кремний плавится и затравочный кристалл толщиной с карандаш погружается в расплавленный кремний. Затем затравочный кристалл вращают и медленно тянут вверх. В результате получается очень тяжелая махина, монокристалл. Электрические характеристики монокристалла можно выбирать путем добавления небольших порций легирующих примесей высокой чистоты. Кристаллы легируются в соответствии с требованиями заказчика, затем полируются и нарезаются ломтиками. После различных дополнительных этапов производства заказчик получает указанные им пластины в специальной упаковке, что позволяет заказчику сразу же использовать пластину на своей производственной линии.
ПРОЦЕСС ЧОХРАЛЬСКОГО
Сегодня большая часть монокристаллов кремния выращивается по методу Чохральского, который включает плавление поликристаллического кремния высокой чистоты в тигле из сверхчистого кварца и добавление легирующих примесей (обычно B, P, As, Sb). Тонкий монокристаллический затравочный кристалл погружают в расплавленный кремний. Затем из этого тонкого кристалла развивается большой кристалл CZ. Точное регулирование температуры и расхода расплавленного кремния, вращения кристалла и тигля, а также скорости вытягивания кристалла позволяет получить слиток монокристаллического кремния чрезвычайно высокого качества.
МЕТОД ПЛАВАЮЩЕЙ ЗОНЫ
Монокристаллы, изготовленные методом плавающей зоны, идеально подходят для использования в силовых полупроводниковых компонентах, таких как IGBT. Цилиндрический слиток поликристаллического кремния установлен на индукционной катушке. Радиочастотное электромагнитное поле помогает расплавить кремний в нижней части стержня. Электромагнитное поле регулирует поток кремния через небольшое отверстие в индукционной катушке в расположенный ниже монокристалл (метод зоны плавания). Легирование, обычно B или P, достигается добавлением газообразных веществ.
Время публикации: 7 июня 2021 г.