PSS Etch Carrier

Scurtă descriere:

Locul de origine:China

Structura de cristal:faza FCCβ

Densitate:3,21 g/cm;

Duritate:2500 Vickers;

Dimensiunea boabelor:2~10μm;

Puritatea chimică:99,99995%;

Capacitate termica:640J·kg-1·K-1;

Temperatura de sublimare:2700℃;

Forța felexurală:415 Mpa (RT în 4 puncte);

Modulul Young:430 Gpa (îndoire 4pt, 1300℃);

Expansiune termică (CTE):4,5 10-6K-1;

Conductivitate termică:300（W/MK）;

Trimiteți-ne un e-mail Descărcați ca PDF

Detaliu produs

Etichete de produs

Descriere produs

Compania noastra ofera servicii de proces de acoperire cu SiC prin metoda CVD pe suprafata grafitului, ceramicii si a altor materiale, astfel incat gazele speciale care contin carbon si siliciu sa reactioneze la temperatura ridicata pentru a obtine molecule de SiC de inalta puritate, molecule depuse pe suprafata materialelor acoperite, formând stratul protector SIC.

Caracteristici principale:

1. Rezistență la oxidare la temperaturi ridicate:

rezistența la oxidare este încă foarte bună atunci când temperatura este de până la 1600 C.

2. Puritate ridicată: realizat prin depunere chimică de vapori în condiții de clorinare la temperatură ridicată.

3. Rezistență la eroziune: duritate mare, suprafață compactă, particule fine.

4. Rezistență la coroziune: acid, alcali, sare și reactivi organici.

Specificații principale ale acoperirii CVD-SIC

Proprietăți SiC-CVD
Structura de cristal	faza β FCC
Densitate	g/cm³	3.21
Duritate	Duritatea Vickers	2500
Dimensiunea boabelor	μm	2~10
Puritatea chimică	%	99,99995
Capacitate termică	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de sublimare	℃	2700
Forța felexurală	MPa (RT 4 puncte)	415
Modulul Young	Gpa (îndoire 4 pt, 1300 ℃)	430
Expansiune termică (CTE)	10-6K-1	4.5
Conductivitate termică	(W/mK)	300