Acoperirea cu SiC poate fi preparată prin depunere chimică de vapori (CVD), transformare a precursorului, pulverizare cu plasmă, etc. Acoperirea preparată prin depunere de vapori CHEMICAL este uniformă și compactă și are o bună capacitate de proiectare. Folosind metil triclosilan. (CHzSiCl3, MTS) ca sursă de siliciu, preparat de acoperire SiC...
Citeşte mai mult