Susceptor epitaxial de butoi din grafit epitaxial

Susceptor epitaxial de butoi din grafit epitaxial

Susceptor epitaxial de butoi din grafit epitaxialeste un suport special conceput și un dispozitiv de încălzire utilizat pentru a ține și a încălzi substraturile semiconductoare în timpul proceselor de fabricație precum procesele de depunere sau epitaxie.

Structura sa include în mod obișnuit cilindric sau ușor în formă de butoi, suprafața prezintă mai multe buzunare sau platforme pentru plasarea napolitanelor, poate fi de design solid sau gol, în funcție de metoda de încălzire.

Principalele funcții ale susceptorului de baril epitaxial:

-Suport de substrat: ține în siguranță mai multe plachete semiconductoare;
-Sursa de caldura: asigura temperaturile ridicate necesare cresterii prin incalzire;
-Uniformitatea temperaturii: asigura incalzirea uniforma a substraturilor;
-Rotație: de obicei se rotește în timpul creșterii pentru a îmbunătăți temperatura și uniformitatea distribuției gazelor.

Principiul de funcționare al susceptorului de butoi din grafit Epi:
- În reactorul epitaxial, susceptorul butoiului este încălzit la temperatura necesară (de obicei 1000℃-1200℃ pentru epitaxia cu siliciu);
-Susceptorul butoiului se rotește pentru a asigura distribuția uniformă a temperaturii și fluxul de gaz;
-Gazele de reacție se descompun la temperaturi ridicate, formând straturi epitaxiale pe suprafața substratului.

Aplicatii:
- Folosit în principal pentru creșterea epitaxială de siliciu
- Se aplică și pentru epitaxia altor materiale semiconductoare precum GaAs, InP etc.

VET Energy folosește grafit de înaltă puritate cu acoperire CVD-SiC pentru a îmbunătăți stabilitatea chimică:

Avantajele VET Energy Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor:

- Stabilitate la temperaturi ridicate;
-Omogenitate termică bună;
-Poate procesa mai multe substraturi simultan, imbunatatind eficienta productiei;
-Inert din punct de vedere chimic, menținând un mediu de creștere de înaltă puritate.