Susceptor MOCVD de înaltă calitate 2022 Cumpărați online în China, susceptori de epitaxie din grafit Sic

Scurtă descriere:

Acoperirea cu SiC a substratului de grafit pentru aplicații de semiconductor produce o piesă cu puritate superioară și rezistență la atmosfera oxidantă. CVD SiC sau CVI SiC este aplicat pe grafit de piese de design simple sau complexe. Acoperirea poate fi aplicată în grosimi diferite și pe piese foarte mari.


  • Locul de origine:Zhejiang, China (continentală)
  • Număr de model:Număr de model:
  • Compoziția chimică:Grafit acoperit cu SiC
  • Rezistența la încovoiere:470Mpa
  • Conductivitate termica:300 W/mK
  • Calitate:Perfect
  • Funcţie:CVD-SiC
  • Aplicație:Semiconductor/Fotovoltaic
  • Densitate:3,21 g/cc
  • Dilatare termica:4 10-6/K
  • Frasin: <5 ppm
  • Eşantion:Disponibil
  • Cod HS:6903100000
  • Detaliu produs

    Etichete de produs

    Susceptor MOCVD de înaltă calitate 2022 Cumpărați online în China, susceptori de epitaxie Sic Graphite,
    Substraturi suport din grafit, Susceptori de grafit, Susceptori de grafit pentru epitaxia SiC, Susceptori de grafit pentru siliciu, Susceptori din grafit cu acoperire cu carbură de siliciu, INSTRUMENTE DE GRAFIT ÎN SEMICONDUCTOR Tăvi de grafit Suceptori pentru napolitane de grafit INSTRUMENTE DE GRAFIT DE ÎNALTĂ PURITATE Opto-electronice, platforme de satelit pentru MOCVD, Platforme de satelit din grafit acoperite cu SiC pentru MOCVD,

    Descriere produs

    Avantajele speciale ale susceptorilor noștri de grafit acoperiți cu SiC includ puritate extrem de ridicată, acoperire omogenă și o durată de viață excelentă. Au, de asemenea, rezistență chimică ridicată și proprietăți de stabilitate termică.

    Acoperirea cu SiC a substratului de grafit pentru aplicații de semiconductor produce o piesă cu puritate superioară și rezistență la atmosfera oxidantă.
    CVD SiC sau CVI SiC este aplicat pe grafit de piese de design simple sau complexe. Acoperirea poate fi aplicată în grosimi diferite și pe piese foarte mari.

    Acoperire SiC/Susceptor MOCVD acoperit

    Caracteristici:
    · Rezistență excelentă la șocuri termice
    · Rezistență excelentă la șocuri fizice
    · Rezistență chimică excelentă
    · Puritate super ridicată
    · Disponibilitate în formă complexă
    · Utilizabil în atmosferă oxidantă

     

    Proprietăți tipice ale materialului grafit de bază:

    Densitatea aparentă: 1,85 g/cm3
    Rezistivitate electrică: 11 μΩm
    Rezistența la încovoiere: 49 MPa (500 kgf/cm2)
    Duritate Shore: 58
    Frasin: <5 ppm
    Conductivitate termică: 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

    Carbonul furnizează susceptori și componente de grafit pentru toate reactoarele de epitaxie actuale. Portofoliul nostru include susceptori de butoi pentru unități aplicate și LPE, susceptori de clătite pentru unitățile LPE, CSD și Gemini și susceptori cu o singură napolitană pentru unități aplicate și ASM. Prin combinarea parteneriatelor puternice cu producători OEM de top, expertiză în materiale și know-how în producție, SGL oferă designul optim pentru aplicația dvs.

     


  • Anterior:
  • Următorul:

  • Chat online WhatsApp!