O SinterizadoCarboneto de Silício (SiC)Cristal/Barco de waferfoi projetado para atender às rigorosas demandas das indústrias de semicondutores e microeletrônica. Ele fornece uma plataforma segura para o manuseio de cristais e wafers de silício durante o processamento em alta temperatura, garantindo que sua integridade e pureza sejam mantidas durante todo o processo.
Principais recursos
- Excelente estabilidade térmica: Capaz de suportar temperaturas de até 1600°C, ideal para processos que exigem controle térmico preciso.
- Resistência Química Superior: Resistente à maioria dos produtos químicos e gases corrosivos, proporcionando durabilidade em ambientes de processamento severos.
- Resistência Mecânica Robusta: Mantém a integridade estrutural sob altas tensões, reduzindo a probabilidade de deformação ou quebra.
- Expansão Térmica Mínima: Projetado para minimizar o risco de choque térmico e rachaduras, oferecendo desempenho confiável durante uso prolongado.
- Fabricação de Precisão: Fabricado com alta precisão para atender aos requisitos específicos do processo e acomodar vários tamanhos de cristais e wafers.
Aplicativos
• Processamento de wafer semicondutor
• Fabricação de LED
• Produção de células fotovoltaicas
• Sistemas de deposição química de vapor (CVD)
• Pesquisa e desenvolvimento em ciência dos materiais
烧结碳化硅物理特性 Propriedades físicas deSinteressadoSíconeCarborizar | |
性质 / Propriedade | 典型数值 / Valor típico |
化学成分 / QuímicoComposição | SiC>95%, Si<5% |
体积密度 / Densidade aparente | >3,07 g/cm³ |
显气孔率/ Porosidade aparente Porosidade aparente | <0,1% |
常温抗弯强度/ Módulo de ruptura a 20℃ | 270MPa |
高温抗弯强度/ Módulo de ruptura a 1200℃ | 290MPa |
硬度/Dureza a 20℃ | 2400 Kg/mm² |
断裂韧性/ Resistência à fratura em 20% | 3.3MPa · m1/2 |
导热系数/ Condutividade térmica a 1200℃ | 45c/m .K |
热膨胀系数/ Expansão térmica a 20-1200℃ | 4,51×10-6/℃ |
最高工作温度/ Temperatura máxima de trabalho | 1400 ℃ |
热震稳定性/ Resistência ao choque térmico a 1200℃ | Bom |
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