Revestimento/revestido de SiC de substrato de grafite para semicondutores,Bandejas de grafite,Sic Grafitesusceptores de epitaxia,
Susceptores de fornecimento de carbono, EPITAXIA E MOCVD, susceptores de epitaxia, Bandejas de grafite, Susceptores de Wafer,
O revestimento CVD-SiC possui características de estrutura uniforme, material compacto, resistência a altas temperaturas, resistência à oxidação, alta pureza, resistência a ácidos e álcalis e reagentes orgânicos, com propriedades físicas e químicas estáveis.
Em comparação com materiais de grafite de alta pureza, a grafite começa a oxidar a 400C, o que causará uma perda de pó devido à oxidação, resultando em poluição ambiental para dispositivos periféricos e câmaras de vácuo, e aumentando as impurezas do ambiente de alta pureza.
No entanto, o revestimento de SiC pode manter a estabilidade física e química a 1600 graus. É amplamente utilizado na indústria moderna, especialmente na indústria de semicondutores.
Nossa empresa fornece serviços de processo de revestimento de SiC pelo método CVD na superfície de grafite, cerâmica e outros materiais, para que gases especiais contendo carbono e silício reajam em alta temperatura para obter moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas na superfície dos materiais revestidos, formando camada protetora SIC. O SIC formado está firmemente ligado à base de grafite, conferindo à base de grafite propriedades especiais, tornando assim a superfície da grafite compacta, livre de porosidade, resistência a altas temperaturas, resistência à corrosão e resistência à oxidação.
Principais características:
1. Resistência à oxidação em alta temperatura:
a resistência à oxidação ainda é muito boa quando a temperatura chega a 1700 C.
2. Alta pureza: feita por deposição química de vapor sob condições de cloração de alta temperatura.
3. Resistência à erosão: alta dureza, superfície compacta, partículas finas.
4. Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
Principais especificações dos revestimentos CVD-SIC:
SiC-CVD | ||
Densidade | (g/cc)
| 3.21 |
Resistência à flexão | (Mpa)
| 470 |
Expansão térmica | (10-6/K) | 4
|
Condutividade térmica | (W/mK) | 300 |
Capacidade de fornecimento:
10.000 peças/peças por mês
Embalagem e entrega:
Embalagem: embalagem padrão e forte
Saco poli + caixa + caixa + palete
Porta:
Ningbo/Shenzhen/Xangai
Tempo de espera:
Quantidade (Peças) | 1 – 1000 | >1000 |
Husa. Tempo (dias) | 15 | A ser negociado |