Portadores de wafer MOCVD de grafite com revestimento SiC, susceptores de grafite para SiC Epitaxy

Breve descrição:

 


  • Local de Origem:Zhejiang, China (continente)
  • Número do modelo:Barco3004
  • Composição Química:Grafite revestida com SiC
  • Resistência à flexão:470Mpa
  • Condutividade térmica:300 W/mK
  • Qualidade:Perfeito
  • Função:CVD-SiC
  • Aplicativo:Semicondutor/Fotovoltaico
  • Densidade:3,21 g/cc
  • Expansão térmica:4 10-6/K
  • Cinzas: <5 ppm
  • Amostra:Disponível
  • Código HS:6903100000
  • Detalhes do produto

    Etiquetas de produto

    Portadores de wafer MOCVD de grafite com revestimento SiC, susceptores de grafite para SiC Epitaxy,
    -SiCGrafiteWafer, Susceptores de fornecimento de carbono, susceptores de epitaxia, Susceptores de suprimentos de grafite, Susceptores de wafer de grafite, https://www.vet-china.com/sic-coating-graphite-mocvd-wafer-carriers-2.html#:~:text=SicGraphiteSusceptors-, SicGraphiteTrays,

    Descrição do produto

    O revestimento CVD-SiC possui características de estrutura uniforme, material compacto, resistência a altas temperaturas, resistência à oxidação, alta pureza, resistência a ácidos e álcalis e reagentes orgânicos, com propriedades físicas e químicas estáveis.

    Em comparação com materiais de grafite de alta pureza, a grafite começa a oxidar a 400C, o que causará uma perda de pó devido à oxidação, resultando em poluição ambiental para dispositivos periféricos e câmaras de vácuo, e aumentando as impurezas do ambiente de alta pureza.

    No entanto, o revestimento de SiC pode manter a estabilidade física e química a 1600 graus. É amplamente utilizado na indústria moderna, especialmente na indústria de semicondutores.

    Nossa empresa fornece serviços de processo de revestimento de SiC pelo método CVD na superfície de grafite, cerâmica e outros materiais, para que gases especiais contendo carbono e silício reajam em alta temperatura para obter moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas na superfície dos materiais revestidos, formando camada protetora SIC. O SIC formado está firmemente ligado à base de grafite, conferindo à base de grafite propriedades especiais, tornando assim a superfície da grafite compacta, livre de porosidade, resistência a altas temperaturas, resistência à corrosão e resistência à oxidação.

    Principais características:

    1. Resistência à oxidação em alta temperatura:

    a resistência à oxidação ainda é muito boa quando a temperatura chega a 1700 C.

    2. Alta pureza: feita por deposição química de vapor sob condições de cloração de alta temperatura.

    3. Resistência à erosão: alta dureza, superfície compacta, partículas finas.

    4. Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.

    Principais especificações dos revestimentos CVD-SIC:

    SiC-CVD

    Densidade

    (g/cc)

    3.21

    Resistência à flexão

    (Mpa)

    470

    Expansão térmica

    (10-6/K)

    4

    Condutividade térmica

    (W/mK)

    300

    Capacidade de fornecimento:

    10.000 peças/peças por mês
    Embalagem e entrega:
    Embalagem: embalagem padrão e forte
    Saco poli + caixa + caixa + palete
    Porta:
    Ningbo/Shenzhen/Xangai
    Tempo de espera:

    Quantidade (Peças) 1 – 1000 >1000
    Husa. Tempo (dias) 15 A ser negociado


  • Anterior:
  • Próximo:

  • Bate-papo on-line pelo WhatsApp!