Portadores de wafer MOCVD de grafite com revestimento SiC, susceptores de grafite para SiC Epitaxy

Breve descrição:

 


  • Local de Origem:Zhejiang, China (continente)
  • Número do modelo:Barco3004
  • Composição Química:Grafite revestida com SiC
  • Resistência à flexão:470Mpa
  • Condutividade térmica:300 W/mK
  • Qualidade:Perfeito
  • Função:CVD-SiC
  • Aplicativo:Semicondutor/Fotovoltaico
  • Densidade:3,21 g/cc
  • Expansão térmica:4 10-6/K
  • Cinzas: <5 ppm
  • Amostra:Disponível
  • Código HS:6903100000
  • Detalhes do produto

    Etiquetas de produto

    Portadores de wafer MOCVD de grafite com revestimento SiC,Susceptores de Grafitepara SiC Epitaxia,
    Susceptores de fornecimento de carbono, susceptores de epitaxia, Susceptores de Grafite,

    Descrição do produto

    O revestimento CVD-SiC possui características de estrutura uniforme, material compacto, resistência a altas temperaturas, resistência à oxidação, alta pureza, resistência a ácidos e álcalis e reagentes orgânicos, com propriedades físicas e químicas estáveis.

    Em comparação com materiais de grafite de alta pureza, a grafite começa a oxidar a 400C, o que causará uma perda de pó devido à oxidação, resultando em poluição ambiental para dispositivos periféricos e câmaras de vácuo, e aumentando as impurezas do ambiente de alta pureza.

    No entanto, o revestimento de SiC pode manter a estabilidade física e química a 1600 graus. É amplamente utilizado na indústria moderna, especialmente na indústria de semicondutores.

    Nossa empresa fornece serviços de processo de revestimento de SiC pelo método CVD na superfície de grafite, cerâmica e outros materiais, para que gases especiais contendo carbono e silício reajam em alta temperatura para obter moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas na superfície dos materiais revestidos, formando camada protetora SIC. O SIC formado está firmemente ligado à base de grafite, conferindo à base de grafite propriedades especiais, tornando assim a superfície da grafite compacta, livre de porosidade, resistência a altas temperaturas, resistência à corrosão e resistência à oxidação.

    Aplicativo:

    2

    Principais características:

    1. Resistência à oxidação em alta temperatura:

    a resistência à oxidação ainda é muito boa quando a temperatura chega a 1700 C.

    2. Alta pureza: feita por deposição química de vapor sob condições de cloração de alta temperatura.

    3. Resistência à erosão: alta dureza, superfície compacta, partículas finas.

    4. Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.

    Principais especificações dos revestimentos CVD-SIC:

    SiC-CVD

    Densidade

    (g/cc)

    3.21

    Resistência à flexão

    (Mpa)

    470

    Expansão térmica

    (10-6/K)

    4

    Condutividade térmica

    (W/mK)

    300

    Capacidade de fornecimento:

    10.000 peças/peças por mês
    Embalagem e entrega:
    Embalagem: embalagem padrão e forte
    Saco poli + caixa + caixa + palete
    Porta:
    Ningbo/Shenzhen/Xangai
    Tempo de espera:

    Quantidade (Peças) 1 – 1000 >1000
    Husa. Tempo (dias) 15 A ser negociado


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