Portadores de wafer MOCVD de grafite com revestimento SiC, susceptores de grafite paraEpitaxia SiC,
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As vantagens especiais de nossos susceptores de grafite revestidos com SiC incluem pureza extremamente alta, revestimento homogêneo e excelente vida útil. Eles também possuem alta resistência química e propriedades de estabilidade térmica.

O revestimento SiC do substrato de grafite para aplicações semicondutoras produz uma peça com pureza superior e resistência à atmosfera oxidante.
CVD SiC ou CVI SiC é aplicado ao grafite de peças de design simples ou complexo. O revestimento pode ser aplicado em diversas espessuras e em peças muito grandes.

Características:
· Excelente resistência ao choque térmico
· Excelente resistência ao choque físico
· Excelente resistência química
· Pureza Super Alta
· Disponibilidade em formato complexo
· Utilizável sob atmosfera oxidante

Aplicativo:

Propriedades típicas do material base de grafite:

Susceptores de fornecimento de carbonoe componentes de grafite para todos os reatores de epitaxia atuais. Nosso portfólio inclui susceptores de barril para unidades aplicadas e LPE, susceptores panqueca para unidades LPE, CSD e Gemini e susceptores de wafer único para unidades aplicadas e ASM. Ao combinar fortes parcerias com OEMs líderes, experiência em materiais e know-how de fabricação, a SGL oferece o design ideal para sua aplicação.