Revestimento SiC revestido de substrato de grafite para semicondutores, revestimento de carboneto de silício, susceptor MOCVD

Breve descrição:

O revestimento SiC do substrato de grafite para aplicações semicondutoras produz uma peça com pureza superior e resistência à atmosfera oxidante. CVD SiC ou CVI SiC é aplicado ao grafite de peças de design simples ou complexo. O revestimento pode ser aplicado em diversas espessuras e em peças muito grandes.


  • Local de Origem:Zhejiang, China (continente)
  • Número do modelo:Número do modelo:
  • Composição Química:Grafite revestida com SiC
  • Resistência à flexão:470Mpa
  • Condutividade térmica:300 W/mK
  • Qualidade:Perfeito
  • Função:CVD-SiC
  • Aplicativo:Semicondutor/Fotovoltaico
  • Densidade:3,21 g/cc
  • Expansão térmica:4 10-6/K
  • Cinzas: <5 ppm
  • Amostra:Disponível
  • Código HS:6903100000
  • Detalhes do produto

    Etiquetas de produto

    Revestimento de SiC revestido deSubstrato de grafite para semicondutores,Revestimento de carboneto de silício,Susceptor de MOCVD,
    Substrato de grafite, Substrato de grafite para semicondutores, Susceptor de MOCVD, Revestimento de carboneto de silício,

    Descrição do produto

    As vantagens especiais de nossos susceptores de grafite revestidos com SiC incluem pureza extremamente alta, revestimento homogêneo e excelente vida útil. Eles também possuem alta resistência química e propriedades de estabilidade térmica.

    Revestimento de SiC deSubstrato de grafite para semicondutoresaplicações produz uma peça com pureza superior e resistência à atmosfera oxidante.
    CVD SiC ou CVI SiC é aplicado ao grafite de peças de design simples ou complexo. O revestimento pode ser aplicado em diversas espessuras e em peças muito grandes.

    Revestimento SiC/Susceptor MOCVD revestido

    Características:
    · Excelente resistência ao choque térmico
    · Excelente resistência ao choque físico
    · Excelente resistência química
    · Pureza Super Alta
    · Disponibilidade em formato complexo
    · Utilizável sob atmosfera oxidante

     

    Propriedades típicas do material base de grafite:

    Densidade Aparente: 1,85g/cm3
    Resistividade Elétrica: 11 μΩm
    Força Flexural: 49MPa (500kgf/cm2)
    Dureza Shore: 58
    Cinzas: <5 ppm
    Condutividade Térmica: 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

    O carbono fornece susceptores e componentes de grafite para todos os reatores de epitaxia atuais. Nosso portfólio inclui susceptores de barril para unidades aplicadas e LPE, susceptores panqueca para unidades LPE, CSD e Gemini, e susceptores de wafer único para unidades aplicadas e ASM. Ao combinar fortes parcerias com OEMs líderes, experiência em materiais e know-how de fabricação, a SGL oferece o design ideal para sua aplicação.

    Revestimento SiC/Susceptor MOCVD revestidoRevestimento SiC/Susceptor MOCVD revestido

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    Informações da empresa

    111

    Equipamentos de fábrica

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    Armazém

    333

    Certificações

    Certificações22

    perguntas frequentes

     


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