Revestimento de SiC revestido deSubstrato de grafite para semicondutores,Revestimento de carboneto de silício,Susceptor de MOCVD,
Substrato de grafite, Substrato de grafite para semicondutores, Susceptor de MOCVD, Revestimento de carboneto de silício,

As vantagens especiais de nossos susceptores de grafite revestidos com SiC incluem pureza extremamente alta, revestimento homogêneo e excelente vida útil. Eles também possuem alta resistência química e propriedades de estabilidade térmica.

Revestimento de SiC deSubstrato de grafitepara aplicações de semicondutores produz uma peça com pureza superior e resistência à atmosfera oxidante.
CVD SiC ou CVI SiC é aplicado ao grafite de peças de design simples ou complexo. O revestimento pode ser aplicado em diversas espessuras e em peças muito grandes.

Características:
· Excelente resistência ao choque térmico
· Excelente resistência ao choque físico
· Excelente resistência química
· Pureza Super Alta
· Disponibilidade em formato complexo
· Utilizável sob atmosfera oxidante

Propriedades típicas do material base de grafite:

O carbono fornece susceptores e componentes de grafite para todos os reatores de epitaxia atuais. Nosso portfólio inclui susceptores de barril para unidades aplicadas e LPE, susceptores panqueca para unidades LPE, CSD e Gemini, e susceptores de wafer único para unidades aplicadas e ASM. Ao combinar fortes parcerias com OEMs líderes, experiência em materiais e know-how de fabricação, a SGL oferece o design ideal para sua aplicação.

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