Porta-gravação PSS

Breve descrição:

Local de Origem:China

Estrutura Cristalina:Fase FCCβ

Densidade:3,21g/cm3;

Dureza:2500 Vickers;

Tamanho do grão:2~10μm;

Pureza Química:99,99995%;

Capacidade de calor:640J·kg-1·K-1;

Temperatura de sublimação:2700°C;

Força felexural:415 Mpa (RT 4 Pontos);

Módulo de Young:430 Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C);

Expansão Térmica (CTE):4,5 10-6K-1;

Condutividade Térmica:300（W/MK）;

Envie um e-mail para nós Baixe como PDF

Detalhes do produto

Etiquetas de produto

Descrição do produto

Nossa empresa fornece serviços de processo de revestimento de SiC pelo método CVD na superfície de grafite, cerâmica e outros materiais, para que gases especiais contendo carbono e silício reajam em alta temperatura para obter moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas na superfície dos materiais revestidos, formando camada protetora SIC.

Principais características:

1. Resistência à oxidação em alta temperatura:

a resistência à oxidação ainda é muito boa quando a temperatura chega a 1600 C.

2. Alta pureza: feita por deposição química de vapor sob condições de cloração de alta temperatura.

3. Resistência à erosão: alta dureza, superfície compacta, partículas finas.

4. Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.

Principais especificações do revestimento CVD-SIC

Propriedades SiC-CVD
Estrutura Cristalina	Fase β do FCC
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho do grão	μm	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J·kg-1·K-1	640
Temperatura de Sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (TR 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)	430
Expansão Térmica (CTE)	10-6K-1	4,5
Condutividade térmica	(W/mK)	300