Não uniformidade do bombardeio iônico
Secogravurageralmente é um processo que combina efeitos físicos e químicos, no qual o bombardeio iônico é um importante método de ataque físico. Durante oprocesso de gravação, o ângulo de incidência e a distribuição de energia dos íons podem ser desiguais.
Se o ângulo de incidência dos íons for diferente em diferentes posições na parede lateral, o efeito de corrosão dos íons na parede lateral também será diferente. Em áreas com ângulos de incidência de íons maiores, o efeito de corrosão dos íons na parede lateral é mais forte, o que fará com que a parede lateral nesta área seja mais gravada, fazendo com que a parede lateral dobre. Além disso, a distribuição desigual da energia iônica também produzirá efeitos semelhantes. Íons com maior energia podem remover materiais de forma mais eficaz, resultando em resultados inconsistentes.gravuragraus da parede lateral em diferentes posições, o que por sua vez faz com que a parede lateral se dobre.
A influência do fotorresiste
O fotorresiste desempenha o papel de máscara no ataque a seco, protegendo áreas que não precisam ser atacadas. No entanto, o fotorresistente também é afetado pelo bombardeio de plasma e reações químicas durante o processo de gravação, e seu desempenho pode mudar.
Se a espessura do fotorresistente for irregular, a taxa de consumo durante o processo de gravação for inconsistente ou a adesão entre o fotorresistente e o substrato for diferente em locais diferentes, isso pode levar a uma proteção irregular das paredes laterais durante o processo de gravação. Por exemplo, áreas com fotorresiste mais fino ou adesão mais fraca podem tornar o material subjacente mais facilmente gravado, fazendo com que as paredes laterais dobrem nesses locais.
Diferenças nas propriedades do material do substrato
O próprio material do substrato gravado pode ter propriedades diferentes, tais como diferentes orientações de cristal e concentrações de dopagem em diferentes regiões. Essas diferenças afetarão a taxa de gravação e a seletividade de gravação.
Por exemplo, no silício cristalino, o arranjo dos átomos de silício em diferentes orientações do cristal é diferente, e sua reatividade e taxa de gravação com o gás de gravação também serão diferentes. Durante o processo de gravação, as diferentes taxas de gravação causadas pelas diferenças nas propriedades do material tornarão inconsistente a profundidade de gravação das paredes laterais em diferentes locais, levando, em última análise, à flexão da parede lateral.
Fatores relacionados ao equipamento
O desempenho e o status do equipamento de gravação também têm um impacto importante nos resultados da gravação. Por exemplo, problemas como distribuição desigual de plasma na câmara de reação e desgaste desigual do eletrodo podem levar à distribuição desigual de parâmetros como densidade de íons e energia na superfície do wafer durante a gravação.
Além disso, o controle desigual da temperatura do equipamento e pequenas flutuações no fluxo de gás também podem afetar a uniformidade da gravação, levando à flexão das paredes laterais.
Horário da postagem: 03/12/2024