Carboneto de Silícioé um composto duro que contém silício e carbono e é encontrado na natureza como o mineral extremamente raro moissanita. Partículas de carboneto de silício podem ser unidas por sinterização para formar cerâmicas muito duras, que são amplamente utilizadas em aplicações que exigem alta durabilidade, especialmente em processamento de semicondutores.
Estrutura física do SiC
O que é revestimento de SiC?
O revestimento SiC é um revestimento de carboneto de silício denso e resistente ao desgaste, com alta resistência à corrosão e ao calor e excelente condutividade térmica. Este revestimento de SiC de alta pureza é usado principalmente nas indústrias de semicondutores e eletrônicos para proteger transportadores de wafers, bases e elementos de aquecimento de ambientes corrosivos e reativos. O revestimento SiC também é adequado para fornos a vácuo e aquecimento de amostras em ambientes de alto vácuo, reativos e de oxigênio.
Superfície de revestimento SiC de alta pureza
Qual é o processo de revestimento de SiC?
Uma fina camada de carboneto de silício é depositada na superfície do substrato usandoCVD (deposição química de vapor). A deposição é normalmente realizada a temperaturas de 1200-1300°C e o comportamento de expansão térmica do material do substrato deve ser compatível com o revestimento de SiC para minimizar o estresse térmico.
Estrutura de cristal de filme de revestimento CVD SIC
As propriedades físicas do revestimento de SiC refletem-se principalmente em sua resistência a altas temperaturas, dureza, resistência à corrosão e condutividade térmica.
Os parâmetros físicos típicos são geralmente os seguintes:
Dureza: O revestimento de SiC normalmente tem uma dureza Vickers na faixa de 2.000 a 2.500 HV, o que lhes confere resistência extremamente alta ao desgaste e ao impacto em aplicações industriais.
Densidade: Os revestimentos de SiC normalmente têm uma densidade de 3,1-3,2 g/cm³. A alta densidade contribui para a resistência mecânica e durabilidade do revestimento.
Condutividade térmica: Os revestimentos de SiC têm uma alta condutividade térmica, normalmente na faixa de 120-200 W/mK (a 20°C). Isto lhe confere boa condutividade térmica em ambientes de alta temperatura e o torna particularmente adequado para equipamentos de tratamento térmico na indústria de semicondutores.
Ponto de fusão: o carboneto de silício tem um ponto de fusão de aproximadamente 2730°C e possui excelente estabilidade térmica em temperaturas extremas.
Coeficiente de Expansão Térmica: Os revestimentos de SiC têm um baixo coeficiente linear de expansão térmica (CTE), normalmente na faixa de 4,0-4,5 µm/mK (na faixa de 25-1000 ℃). Isto significa que a sua estabilidade dimensional é excelente em grandes diferenças de temperatura.
Resistência à corrosão: Os revestimentos de SiC são extremamente resistentes à corrosão em ambientes ácidos fortes, alcalinos e oxidantes, especialmente quando se utilizam ácidos fortes (como HF ou HCl), sua resistência à corrosão excede em muito a dos materiais metálicos convencionais.
Os revestimentos SiC podem ser aplicados aos seguintes materiais:
Grafite isostática de alta pureza (baixo CTE)
Tungstênio
Molibdênio
Carboneto de Silício
Nitreto de Silício
Compostos Carbono-Carbono (CFC)
Os produtos revestidos com SiC são comumente usados nas seguintes áreas:
Produção de chips LED
Produção de polissilício
Semicondutorcrescimento de cristal
Silício eEpitaxia de SiC
Tratamento térmico e gravação de wafer
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Horário da postagem: 18 de outubro de 2024