WAFER DE SILÍCIO

WAFER DE SILÍCIO

de sitrônico

Abolachaé uma fatia de silício com cerca de 1 milímetro de espessura que possui uma superfície extremamente plana graças a procedimentos tecnicamente muito exigentes. O uso subsequente determina qual procedimento de crescimento de cristal deve ser empregado. No processo Czochralski, por exemplo, o silício policristalino é derretido e um cristal de semente da espessura de um lápis é mergulhado no silício fundido. O cristal-semente é então girado e lentamente puxado para cima. O resultado é um colosso muito pesado, um monocristal. É possível selecionar as características elétricas do monocristal adicionando pequenas unidades de dopantes de alta pureza. Os cristais são dopados de acordo com as especificações do cliente e depois polidos e cortados em fatias. Após várias etapas adicionais de produção, o cliente recebe seus wafers especificados em embalagens especiais, o que permite ao cliente utilizar obolachaimediatamente em sua linha de produção.

Hoje, uma grande parte dos monocristais de silício são cultivados de acordo com o processo Czochralski, que envolve a fusão do silício policristalino de alta pureza em um cadinho de quartzo hiperpuro e a adição do dopante (geralmente B, P, As, Sb). Um fino cristal de semente monocristalino é mergulhado no silício fundido. Um grande cristal CZ se desenvolve a partir deste cristal fino. A regulação precisa da temperatura e do fluxo do silício fundido, da rotação do cristal e do cadinho, bem como da velocidade de extração do cristal resulta em um lingote de silício monocristalino de altíssima qualidade.