O revestimento de SiC pode ser preparado por deposição química de vapor (CVD), transformação de precursor, pulverização de plasma, etc. O revestimento preparado por deposição química de vapor é uniforme e compacto e possui boa capacidade de design. Usando metil triclosilano. (CHzSiCl3, MTS) como fonte de silício, o revestimento de SiC preparado pelo método CVD é um método relativamente maduro para a aplicação deste revestimento.
O revestimento de SiC e o grafite têm boa compatibilidade química, a diferença no coeficiente de expansão térmica entre eles é pequena, o uso do revestimento de SiC pode efetivamente melhorar a resistência ao desgaste e à oxidação do material de grafite. Entre eles, a razão estequiométrica, a temperatura da reação, o gás de diluição, o gás de impureza e outras condições têm grande influência na reação.
Horário da postagem: 14 de setembro de 2022